4兆位（ 512K ×8 ）超快闪EEPROM
SST28SF040A / SST28VF040A
SST28SF040A / SST28VF040A5.0 & 2.7 4Mb的（ X8 ）字节编程，擦除小扇区闪存
数据表
产品特点：
•单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST28SF040A
- 2.7-3.6V的SST28VF040A
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•内存组织： 512K X8
•扇区擦除功能：每扇区256字节
•低功耗
- 工作电流：15 mA（典型值）为5.0V和
10毫安（典型值）为2.7〜3.6V
- 待机电流： 5 μA （典型值）
•快速扇区擦除/字节编程操作
- 字节编程时间： 35 μs（典型值）
- 扇区擦除时间： 2毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 20秒（典型值）
•快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 2.7-3.6V操作： 150和200纳秒
•锁存地址和数据
•硬件和软件数据保护
- 7 - 读周期的序软件数据
保护
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚排列
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米，并采用8mm x 20毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST28SF / VF040A是512K ×8位CMOS具有部门
擦除，字节编程的EEPROM 。该SST28SF / VF040A
使用SST专有的，高perfor-制造
曼斯CMOS超快闪EEPROM技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
替代方法。该SST28SF / VF040A擦除和
计划用单电源供电。该SST28SF /
VF040A符合JEDEC标准的引脚排列字节宽
回忆，是与现有的行业标兼容
准闪存EEPROM的引脚。
拥有高性能的编程， SST28SF /
VF040A典型字节编程在35微秒。该SST28SF /
VF040A典型扇区擦除在2毫秒。这两个计划和
擦除时间可以使用这样的接口的功能进行优化
作为触发位或数据＃投票指示完成
写周期。为了防止无意中写的
SST28SF / VF040A对芯片硬件和软件
数据保护方案。设计，制造，以及
测试一个广泛的应用范围，在SST28SF /
VF040A提供与保证部门耐力
10,000次。数据额定保存大于100
年。
该SST28SF / VF040A最适合的应用程序
需要重新编程的非易失性大容量存储的亲
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
©2001硅存储技术公司
S71077-04-000 6/01
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阳离子，在SST28SF / VF040A显著改善
性能和可靠性，同时降低功率消耗
化时，与软盘或EPROM相比，
的方法。闪存EEPROM技术成为可能
规范和控制，方便和经济更新
上线计划。该SST28SF / VF040A提高使用灵活
性，同时降低了程序和配置的成本
存储应用。
的功能框图中示出的功能块
在SST28SF / VF040A 。图1，图2 ，和图3示出了针
分配的32引脚PLCC ， 32引脚TSOP和32
,
引脚PDIP封装。引脚说明和操作模式
通过5在表2中描述。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
注意，该软件数据保护序列中的
地址锁存， OE ＃或CE ＃上升沿，
以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
