1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
产品特点：
•单电压读写操作
- 5.0V -只为SST29EE010
- 3.0-3.6V的SST29LE010
- 2.7-3.6V的SST29VE010
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和
10毫安（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39微秒
（典型值）
•快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 3.0-3.6V操作： 150和200纳秒
- 2.7-3.6V操作： 200和250纳秒
•锁存地址和数据
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
•硬件和软件数据保护
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 20毫米，采用8mm x 14毫米）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
产品说明
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010是128K ×8
CMOS页，写的EEPROM制造与SST的
专有的高性能CMOS超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道 -
荷兰国际集团注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010写跟单
电源。内部擦除/编程是透明的
该用户。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
符合JEDEC标准的引脚排列字节宽
回忆。
拥有高性能的页面写的
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供了一个典型的针对字节
写的39微秒的时间。整个存储器，即， 128
千字节，可以在少至5被写入页逐页
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成写的
周期。为了防止意外写操作时，
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010具有片上硬件
洁具和软件数据保护方案。设计，
制，以及用于广泛的应用范围测试
中，请在SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供
具有10保证页 - 写耐力
4
周期。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010适合于AP-
需要方便和经济updat-褶皱
荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有
系统的应用， SST29EE010 / 29LE010 /
29VE010显著提高性能和了可靠性
性，同时降低功耗。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和组态
灰存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供32引脚
TSOP （8毫米X 20毫米采用8mm x 14毫米）和32引脚
PLCC封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也
可用。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010
不需要单独的擦除和编程操作
系统蒸发散。内部定时写周期执行两个
擦除和编程对用户透明。该
SST29EE010 / 29LE010 / 29VE010具有行业标
准可选软件数据保护，其中SST
建议总是被激活。该SST29EE010 /
29LE010 / 29VE010与业界兼容标
准EEPROM的引脚和功能。
读
该SST29EE010的读操作/ 29LE010 /
29VE010均通过CE ＃和OE ＃控制，两者都要
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
了Silicon Storage Technology ，Inc.的©2000硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标
304-3 6/00
1
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
