1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
AC特性
T
ABLE
10 ： SST29EE010 ř
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
SST29EE010-90 SST29EE010-120
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址输出保持
变化
0
0
0
30
30
0
民
90
90
90
40
0
0
30
30
最大
民
120
120
120
50
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
304 PGM T10.1
T
ABLE
11 ： SST29LE010 ř
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
SST29LE010-150 SST29LE010-200
民
最大
民
最大
150
200
150
200
150
200
60
100
0
0
0
0
30
50
30
50
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
304 PGM T11.0
T
ABLE
12 ： SST29VE010 ř
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
SST29VE010-200 SST29VE010-250
民
最大
民
最大
200
250
200
250
200
250
100
120
0
0
0
0
50
50
50
50
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
304 PGM T12.0
©2000硅存储技术公司
10
304-3 6/00
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
