1兆位（ 128K ×8 ）页面模式的EEPROM
SST29EE010 ， SST29LE010 ， SST29VE010
数据表
产品特点：
•单电压读写操作
- 5.0V -只为29EE010
- 3.0V -只为29LE010
- 2.7V -只为29VE010
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）的5V和
10毫安（典型值）为3.0 / 2.7V
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•快速页写操作
- 每个页， 1024页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39微秒
（典型值）
•快速读取访问时间
- 5.0V的管理： 90和120纳秒
- 3.0V的管理： 150和200纳秒
- 2.7V的管理： 200和250纳秒
•锁存地址和数据
•自动写时序
- 内部V
pp
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
•硬件和软件数据保护
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准字节宽度EEPROM引脚排列
•封装
- 32引脚TSOP （ 8x20 & 8x14毫米）
- 32引脚PLCC
- 32引脚塑料DIP
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产品说明
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010是128K ×8 CMOS
页面模式的EEPROM制造与SST的propri-
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化物隧道
喷油器实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该29EE010 /
29LE010 / 29VE010写了单电源供电。
内部的擦除/编程是对用户透明的。该
29EE010 / 29LE010 / 29VE010符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
拥有高性能的页写的29EE010 /
29LE010 / 29VE010提供的一种典型的字节写入时间
39微秒。整个存储器，即128K字节，可以是
当使用少至5秒后，由页写入页
接口功能，如翻转位或数据＃查询到
表明在完成一个写周期。为了保护
防止误写入，在29EE010 / 29LE010 /
29VE010具有片上硬件和软件数据
保护方案。设计，制造，以及
测试一个广泛的应用范围，在29EE010 /
29LE010 / 29VE010提供有保证的页面级
写了10耐力
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或10
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周期。数据保存
额定功率大于100年。
该29EE010 / 29LE010 / 29VE010适合于应用
需要的方便和经济的升级系统蒸发散
程序，配置或数据存储器。对于所有系统
应用中， 29EE010 / 29LE010 / 29VE010显
着地提高性能和可靠性，同时低级
荷兰国际集团的功耗，当与软盘相比
或EPROM方法。该29EE010 / 29LE010 /
29VE010提高，同时降低成本的灵活性
程序，数据和配置存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
29EE010 / 29LE010 / 29VE010提供32引脚
TSOP和32引脚PLCC封装。 A 600密耳， 32针
PDIP封装也可以。请参阅图1和图2为
引脚排列。
设备操作
在SST页模式EEPROM提供电路中的电
写能力。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010呢
不需要单独的擦除和编程操作。该
内部定时写周期执行两个擦除和
程序对用户透明。该29EE010 /
29LE010 / 29VE010有行业标准可选
软件数据保护，其中SST建议AL-
被激活的方法。该29EE010 / 29LE010 / 29VE010
符合行业标准的EEPROM的引脚兼容
和功能。
读
的读操作29EE010 / 29LE010 /
29VE010均通过CE ＃和OE ＃控制，两者都要
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
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硅存储技术©1998硅存储技术公司的SST徽标和超快闪的注册商标。规格若有变更，恕不另行通知。
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SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
