2兆位/ 4兆位（ X8 ）小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
SST29SF / VF020 / 0402Mb / 4Mb的（ X8 ）
字节编程，小扇区闪存
数据表
产品特点：
•组织为256K ×8 / 512K ×8
•单电压读写操作
= 4.5-5.5V的SST29SF020 / 040
- 2.7-3.6V的SST29VF020 / 040
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流：
30 μA （典型值） SST29SF020 / 040
1 μA （典型值）的SST29VF020 / 040
•扇区擦除功能
- 统一的128字节扇区
•快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST29SF020 / 040
- 70纳秒的SST29VF020 / 040
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
4秒（典型值） SST29SF / VF020
8秒（典型值） SST29SF / VF040
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• TTL的I / SST29SF020 O兼容性/ 040
为SST29VF020 / 040 • CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040顷256K
X8 / X8 512K CMOS小扇区闪存（ SSF ）制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。分裂栅单元设计
厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST29SF020 / 040设备写（编程或擦除）
用4.5-5.5V电源。该SST29VF020 / 040
设备写（编程或擦除）与电源2.7-3.6V
供应量。这些器件符合JEDEC标准引脚
分配X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040器件亲
韦迪20微秒的最大字节编程时间。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用，这些光谱
器件还具有一个保证续航能力至少
10,000次。数据保留的额定功率为大于100
年。
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
适合于和适用于需要方便的生态
程序，配置或数据存储器的nomical更新
©2005硅存储技术公司
S71160-13-000
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ORY 。对于所有的系统应用程序，它们显著改善
性能和可靠性，同时降低功率消耗
化。他们擦除过程中会本能地使用更少的能源，
程序比其他闪存技术。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围， SuperFlash技术使用更少的电流亲
克，并且具有擦除时间更短，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。他们还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克次独立的擦除/编程次数
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040器件
在32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。该
引脚分配示于图2和图3 。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
