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SST29SF040-55-4I-NHE 参数 Datasheet PDF下载

SST29SF040-55-4I-NHE图片预览
型号: SST29SF040-55-4I-NHE
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内容描述: 4兆位( X8 )小扇区闪存 [4 Mbit (x8) Small-Sector Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 22 页 / 287 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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4兆位( X8 )小扇区闪存
SST29SF040 / SST29VF040
SST29SF / VF0404Mb ( X8 )字节编程,小扇区闪存
数据表
产品特点:
•组织为512K ×8
•单电压读写操作
- 4.5-5.5V ,仅供SST29SF040
- 2.7-3.6V的SST29VF040
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗( 5 MHz时典型值)
- 工作电流10 mA(典型值)
- 待机电流:
30 μA (典型值)的SST29SF040
1 μA (典型值)的SST29VF040
•扇区擦除功能
- 统一的128字节扇区
•快速读取访问时间:
- 55纳秒的SST29SF040
- 55 ns到70 ns的为SST29VF040
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程:
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
- 芯片重写时间:8秒(典型值)
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据#投票
• TTL I / O的SST29SF040兼容性
为SST29VF040 • CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
产品说明
该SST29SF040和SST29VF040是512K ×8 CMOS
小扇区闪存( SSF )与SST的propri-制造
etary ,高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST29SF040设备写
(编程或擦除)以4.5-5.5V的电源。该
SST29VF040设备写(编程或擦除)用2.7〜
3.6V电源。这些器件符合JEDEC
标准引脚为x8的回忆。
拥有高性能的字节编程时,
SST29SF040和SST29VF040设备提供了马克西
20微秒的妈妈字节编程时间。为了防止
无意中写的,他们有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计,制造,
并测试了广泛的应用,这些光谱
器件还具有一个保证续航能力,在
至少10,000次。数据保留的额定功率为大于
100年。
该SST29SF040和SST29VF040器件适用
对于需要方便和经济的应用
更新程序,配置或数据存储器。为
所有的系统应用程序,它们显著改善perfor-
曼斯和可靠性,同时降低功耗。
他们擦除和亲时会本能地使用更少的能源
克比其他闪存技术。的总能量
消耗是所施加电压的函数,电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内,则
©2004硅存储技术公司
S71160-10-000
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SuperFlash技术的编程电流小,
具有擦除时间更短,总的能量消耗能很好地协同
荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。他们还提高了灵活性,同时低
化工e圈的成本为程序,数据和配置存储
应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此,系统软件
或硬件没有被修改或降额,是
必要时与其他闪存技术,其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求,
SST29SF040和SST29VF040器件提供32位
引脚PLCC和32引脚TSOP封装。见图1
和2引脚分配。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE#置为低电平,同时保持CE #
低。地址总线被锁定在WE#的下降沿
或CE # ,先到为准过去。数据总线被锁存
WE#或CE #的上升沿,以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。