2 Mbit的页面模式的EEPROM
SST29EE020 / SST29LE020 / SST29VE020
数据表
写操作状态检测
该SST29EE / LE / VE020提供了两种软件方法来
检测完成一个写周期，为了优化
该系统写周期时间。该软件检测
包含两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位
（ DQ
6
） 。写检测模式结束后启用
WE＃或CE ＃上涨以先到为准，从而启动
内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护（ SDP ）
该SST29EE / LE / VE020提供了JEDEC核准
所有的数据替代方案可选软件数据保护方案
ATION操作，即写和芯片擦除。与此
方案中，任何写操作需要包含的
一系列的三个字节装入操作的数据先于
装入操作。三个字节装入序列用于
启动写周期，从提供最佳的保护
意外的写操作，如系统加电时
或断电。该SST29EE / LE / VE020发货
与软件数据保护禁用。
软件保护方案可以通过硐启用
荷兰国际集团一个3字节的序列的装置，页级中
负载循环（图5和6）。该设备将被自动
matically设置到数据保护模式。任何后续
写操作都需要在前面的三字节
序列。请参阅表4为特定的软件命令
代码和图5和6的时序图。设置
器件进入未受保护模式中，一个6字节的序列
是必须的。请参阅特定代码表4和图9
为时序图。如果一个写操作时试图SDP是
启用该设备将处于不可访问状态
〜 300微秒。 SST推荐软件数据保护
总是被激活。参见图17的流程图。
该SST29EE / LE / VE020软件数据保护是一个
全局命令，保护所有页面在整个存储器
阵列一旦启用（或禁用） 。因此，使用SDP的
单页，写使SDP整个阵列。
单页本身不能被启用SDP或
禁用。
单电源供电，可重编程非易失性memo-
里斯可能会无意中改变。 SST强烈recom-
门兹的软件数据保护（ SDP ）总是
启用。该SST29EE / LE / VE020应编程
使用SDP命令序列。 SST建议
SDP禁用命令序列不发出来的
设备前写作。
请参考以下应用笔记的详细
使用SDP信息：
•
•
防止无意识当
使用单电源闪存产品
正确使用JEDEC标准软件
数据保护
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST29EE / LE / VE020是在内部写
周期，任何尝试读取DQ
7
的最后一个字节装入能很好地协同的
荷兰国际集团的字节负载周期将收到的补
真正的数据。一旦写周期完成时， DQ的
7
将
展现真实的数据。该设备然后准备下一次操作
化。参见图7为数据＃查询时序图和图 -
切换位（ DQ
6
)
在内部写周期，任何尝试连续
阅读DQ
6
会产生交替的0和1 ，即切换
0和1之间。当写周期完成时，该
触发将停止。该设备然后准备进行下一次
操作。参见图8的触发位时序图
通常将一个“1”。
数据保护
该SST29EE / LE / VE020提供硬件和软件
洁具功能，以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
©2001硅存储技术公司
S71062-06-000 6/01
307
3
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
