512千位（ 64K ×8 ）页写EEPROM
SST29EE512
SST29EE512512Kb （ X8 ）页写，小扇区闪存
数据表
产品特点：
•单电压读写操作
- 4.5-5.5V的SST29EE512
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•快速页写操作
- 每个页， 512页128字节
- 页面 - 写周期： 5毫秒（典型值）
- 完整的存储器重写： 2.5秒（典型值）
- 有效字节写周期时间： 39 μs（典型值）
•快速读取访问时间
- 4.5-5.5V操作： 70纳秒
•锁存地址和数据
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
•硬件和软件数据保护
•产品标识可通过以下方式访问
软件操作
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 20毫米）
- 32引脚PDIP
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST29EE512是64K ×8 CMOS ，页写
EEPROM制造与SST专有的，高per-
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST29EE512写跟单
电源。内部擦除/编程是透明的
该用户。该SST29EE512符合JEDEC标
准引脚分配字节宽的回忆。
特色
高
性能
页写，
该
SST29EE512提供39典型的字节写入时间
微秒。整个存储器，即， 64K字节，可以写入
当使用页逐页在短短2.5秒
接口功能，如翻转位或数据＃查询到
表明在完成一个写周期。为了保护
防止误写入，在SST29EE512有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽光谱
的应用， SST29EE512提供了瓜尔
10,000次及担页写的耐力。数据
保留的额定功率为100年以上。
该SST29EE512适合于需要应用
程序便捷，经济的升级， config-
uration ，或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
SST29EE512显著改善了性能和
可靠性，同时降低功耗。该
SST29EE512提高了灵活性，同时降低成本
程序，数据和配置存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29EE512是提供在32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。 A 600密耳， 32引脚PDIP封装也
可用。参见图1 ，图2和3对引脚分配。
设备操作
在SST页写EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE512不需要另行
率擦除和编程操作。内部定时
写周期执行两个擦除和编程透明
给用户。该SST29EE512有行业标准
可选的软件数据保护，这SST recom-
门兹总是被激活。该SST29EE512的COM -
兼容行业标准的EEPROM的引脚和
功能。
©2005硅存储技术公司
S71060-09-000
9/05
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
