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SST29VE010-200-4C-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST29VE010-200-4C-NH图片预览
型号: SST29VE010-200-4C-NH
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内容描述: 1兆位( 128K ×8 )页面模式的EEPROM [1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM]
分类和应用: 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 26 页 / 325 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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1兆位( 128K ×8 )页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE0101Mb页面模式闪速存储器
数据表
产品特点:
•单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST29EE010
- 3.0-3.6V的SST29LE010
- 2.7-3.6V的SST29VE010
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流:20 mA(典型值)的5V和10毫安
(典型值)为3.0 / 2.7V
- 待机电流: 10 μA (典型值)
•快速页写操作
- 每个页, 1024页128字节
- 页面 - 写周期: 5毫秒(典型值)
- 完整的存储器重写: 5秒(典型值)
- 有效字节写周期时间: 39 μs(典型值)
•快速读取访问时间
- 5.0V的管理: 70和90纳秒
- 3.0-3.6V操作: 150和200纳秒
- 2.7-3.6V操作: 200和250纳秒
•锁存地址和数据
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据#投票
•硬件和软件数据保护
•产品标识可通过以下方式访问
软件操作
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (8毫米X 14毫米尺寸8mm x 20毫米)
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST29EE / LE / VE010是128K ×8 CMOS页写
EEPROM的制造与SST专有的,高性
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST29EE / LE / VE010写入与单个
电源。内部擦除/编程是透明的
用户。该SST29EE / LE / VE010符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
拥有高性能的页面写的SST29EE / LE /
VE010提供39微秒典型的字节写入时间。该
整个存储器,即128千字节,可以被写入页逐
在少至5秒,在使用界面功能页
如翻转位或数据#投票指示完井
化一个写周期。为了防止意外写操作,
在SST29EE / LE / VE010具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计,制造,
并测试了广泛的应用中,光谱
SST29EE / LE / VE010提供有保证的页面 -
写10,000次的耐力。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST29EE / LE / VE010适合于应用
需要程序方便和经济的升级,
配置或数据存储器。对于所有系统应用,
在SST29EE / LE / VE010显著改善性能
和可靠性,同时降低功耗。该
SST29EE / LE / VE010提高灵活性,同时降低了
成本为程序,数据和配置存储应用
系统蒸发散。
为了满足高密度的表面安装的要求,
SST29EE / LE / VE010提供32引脚PLCC和32
引脚TSOP封装。 A 600密耳, 32引脚PDIP封装
也可提供。参见图1 ,图2和3为插脚引线。
设备操作
SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE / LE / VE010不需要
单独的擦除和编程操作。国内
定时写周期执行两个擦除和编程传输
parently给用户。该SST29EE / LE / VE010具有行业
试着标准可选软件数据保护,这SST
建议总是被激活。该SST29EE / LE /
VE010与行业标准兼容的EEPROM
引脚和功能。
©2001硅存储技术公司
S71061-07-000 6/01
304
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。