1兆位页面模式的EEPROM
SST29EE010 / SST29LE010 / SST29VE010
数据表
AC特性
表10 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
20
20
0
为
SST29EE010
SST29EE010-70
民
70
70
70
30
0
0
30
30
最大
SST29EE010-90
民
90
90
90
40
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T10.2 304
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
为
SST29LE010
SST29LE010-150
民
150
150
150
60
0
0
30
30
0
0
0
0
50
50
最大
SST29LE010-200
民
200
200
200
100
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T11.1 304
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表12 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
为
SST29VE010
SST29VE010-200
民
200
200
200
100
0
0
50
50
0
0
0
0
50
50
最大
SST29VE010-250
民
250
250
250
120
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T12.1 304
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
©2001硅存储技术公司
S71061-07-000 6/01
304
10
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
