512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
SST29SF / VF512 / 010 / 020 / 0405.0 & 2.7V 512KB /为1Mb / 2MB / 4Mb的（ X8 ）字节编程，擦除小扇区闪存
初步规格
产品特点：
•组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
•单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST29SF512 / 010 / 020 / 040
- 2.7-3.6V的SST29VF512 / 010 / 020 / 040
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流：
30 μA （典型值） SST29SF512 / 010 / 020 / 040
1 μA （典型值）的SST29VF512 / 010 / 020 / 040
•扇区擦除功能
- 统一的128字节扇区
•快速读取访问时间：
= 55 ns的
= 70纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
1秒（典型值） SST29SF / VF512
2秒钟（典型值） SST29SF / VF010
4秒（典型值） SST29SF / VF020
8秒（典型值） SST29SF / VF040
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• TTL I / O的SST29SFxxx兼容性
对于SST29VFxxx • CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST29SF512 / 010 / 020 / 040和SST29VF512 / 010 /
020/040是64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8 CMOS
小扇区闪存（ SSF ）与SST的propri-制造
etary ，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST29SFxxx设备写
（编程或擦除）以4.5-5.5V的电源。该
SST29VFxxx设备写（编程或擦除）用2.7〜
3.6V电源。这些器件符合JEDEC标
准引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST29SFxxx和SST29VFxxx设备提供了马克西
20微秒的妈妈字节编程时间。为了防止
无意中写的，他们有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造，
并测试了广泛的应用，这些光谱
器件还具有一个保证续航能力至少
10,000次。数据保留的额定功率为大于100
年。
该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备适合于
需要方便和经济updat-应用
荷兰国际集团计划，配置或数据存储器。对于所有的系
统的应用程序，它们显著提高性能
©2001硅存储技术公司
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和可靠性，同时降低功耗。他们
擦除和编程比在本质上使用更少的能源
其他闪存技术。的总能量消耗的
是所施加的电压的函数，电流和时间
应用程序。因为对于任何给定的电压范围内，则超
Flash技术使用更少的电流进行编程，并具有
擦除时间更短，在任的总能量消耗
擦除或编程操作是低于其他闪存
技术。他们还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST29SFxxx和SST29VFxxx设备在提供32位
引脚PLCC和32引脚TSOP封装。 A 600万， 32针
PDIP ，也可为SST29SFxxx设备。参见图
1 ，2和3为插脚引线。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
