2兆ROM + 1兆位/兆比特/ 256千位的SRAM
ROM / RAM组合
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
SST30VR021 / 022 / 0232 Mb的掩膜ROM的（x8） + 1兆/ 2MB / 256 KB SRAM （ X8 ）组合
数据表
产品特点：
• ROM + SRAM ，ROM / RAM组合
- SST30VR021 ： 256K ROM X8 + X8 128K SRAM
- SST30VR022 ： 256K ROM X8 + X8 256K SRAM
- SST30VR023 ： 256K ROM X8 + X8 32K SRAM
•单片芯片上的ROM / RAM组合
•等效ComboMemory （闪存+ SRAM ） ：
SST31LF021E的代码开发和
预生产
•宽工作电压范围： 2.7-3.3V
•芯片存取时间
- SST30VR022
70纳秒
- SST30VR021 / 023 500 NS
•低功耗：
- 待机： 3 μW （典型值）
- 操作： 10毫瓦（典型值）
•全静态工作
- 无时钟或刷新要求
•三态输出
•封装
- 32引脚TSOP （8毫米x14mm ）
产品说明
该SST30VR021 / 022 / 023顷ROM / RAM的组合芯片
包括2只兆位只读存储器组织为256
千字节和静态随机存取存储器组织成
128 ，256，和32千字节。
该器件采用SST先进的CMOS制造低
功耗工艺技术。
该SST30VR021 / 022 / 023有一输出允许信号输入
精确控制的数据输出。它也有两个（2）另行
利率芯片使能输入，用于选择RAM或ROM
并在掉电模式下最大限度地降低漏电流。
该SST30VR021 / 022 / 023是特别适合于
使用低电压（ 2.7-3.3V ）用品，如寻呼机，
组织者和其他手持式应用。
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
RAMCS ＃
ROMCS ＃
OE ＃
WE＃
控制
电路
RAMCS ＃
OE ＃
WE＃
数据缓冲区
内存
地址缓冲器
DQ7-DQ0
ROMCS ＃
OE ＃
AMS-A0
只读存储器
注： AMS =高位地址
380 ILL B1.1
©2001硅存储技术公司
S71135-02-000 4/01
380
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
ComboMemory是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
