多用途闪存+ + SRAM ComboMemory
SST32HF1642 / SST32HF1682 / SST32HF3242 / SST32HF3282
SST32HF1622C / SST32HF1642C / SST32HF3242C
SST32HF16x2x / 32x2x / 6482x16 / 32 / 64MB闪存+ 4 / 8Mb的SRAM ，32MB闪存+ 8Mb的SRAM
（ X16 ） MCP ComboMemories
初步规格
产品特点：
• ComboMemories组织为：
- SST32HF1622C ： 1M X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF1642x ： 1M X16闪存+ 256K x16的SRAM
- SST32HF1682 ： 1M X16闪存+ 512K x16的SRAM
- SST32HF3242x ： 2M X16闪存+ 256K x16的SRAM
- SST32HF3282 ： 2M X16闪存+ 512K x16的SRAM
•单2.7-3.3V读写操作
•并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
Flash或SRAM读
- 待机电流：
- SST32HFx2 ： 60 μA （典型值）
- SST32HFx2C ： 12 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
•擦除暂停/擦除恢复功能
•安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
•硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
•快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒
- SRAM ： 70纳秒
•锁存地址和数据的闪存
•闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
•闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
• Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准命令集
•封装
- 63球LFBGA （8毫米X 10毫米x10 1.4毫米）
- 62球LFBGA （8毫米X 10毫米x10 1.4毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST32HFx2 / X2C ComboMemory设备集成
用CMOS SRAM MEM-一个CMOS闪存银行
在一个多芯片封装（MCP ） ，制储器行
与SST专有的高性能超快闪
技术。该SST32HF16x2 / 32X2设备使用
PseudoSRAM 。该SST32HF16x2C / 3242C设备使用
标准的SRAM 。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
7微秒。为了防止意外闪存写入时，
SST32HFx2 / X2C器件包含片上硬件和
软件数据保护方案。该SST32HFx2 / X2C
器件提供10,000个周期的保证续航能力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST32HFx2 / X2C装置由两个独立的
与各银行的银行内存使能信号。该
闪存和SRAM存储器组叠加的
相同的存储器地址空间。两个内存银行股
常见的地址线，数据线， WE＃和OE ＃ 。该
存储体的选择是由存储体进行启用
©2005硅存储技术公司
S71253-03-000
5/05
1
信号。 SRAM的银行能信号， BES ＃选择
SRAM银行。闪存存储器组使能信号， BEF ＃
选择闪存存储器区块。 WE＃信号必须
与软件数据保护（ SDP ）命令中使用
顺序控制擦除和编程操作时，
系统蒸发散在闪速存储器区块。在SDP命令
序列可保护存储在快闪存储器中的数据
意外改变银行。
该SST32HFx2 / X2C提供的附加功能
能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MPF +和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
