多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
SST32HF202 / 402 / 8022Mb闪存+的2Mb SRAM ， 4Mb的闪存+的2Mb SRAM ， 8MB闪存+的2Mb SRAM
（ X16 ） MCP ComboMemory
数据表
产品特点：
• MPF + SRAM ComboMemory
- SST32HF202 ： 128K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF402 ： 256K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF802 ： 512K X16闪存+ 128K x16的SRAM
•单2.7-3.3V读写操作
•并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
Flash或SRAM读
- 待机电流： 20 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
•快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒
- SRAM ： 70纳秒
•锁存地址和数据的闪存
•闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
SST32HF202 ：2秒（典型值）
SST32HF402 ：4秒（典型值）
SST32HF802 ：8秒（典型值）
•闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
• Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准命令集
•符合闪存的引脚
•封装
- 48球LFBGA （ 6× 8毫米）
- 48球LBGA （10毫米x 12毫米）
（ SST32HF802只）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST32HF202 / 802分之402 ComboMemory设备英特
篦128K X16 ， X16 256K ， 512K x16的CMOS闪存存储器
在一个一个128K x16的CMOS SRAM存储体储器库
多芯片封装（ MCP ） ，与SST的亲制造
专有的，高性能的超快闪技术。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
14微秒。整个闪存银行可擦除和
编程的字的字中通常为2秒
SST32HF202 4秒钟的SST32HF402和8仲
哔声的SST32HF802 ，使用界面功能时，
如翻转位或数据＃投票指示完井
程序化操作。为了防止意外
闪存的写入，将SST32HF202 /八百〇二分之四百〇二器件包含导通
片上硬件和软件数据保护方案。该
SST32HF202 / 802分之402设备提供了保证endur-
ANCE的10,000次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST32HF202 / 802分之402装置由两个不知疲倦
与各银行下垂记忆库使显
良。闪存和SRAM存储器银行
叠加在相同的存储器地址空间。两
©2005硅存储技术公司
S71209-06-000
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存储器区块共享公共地址线，数据线，
WE＃和OE ＃ 。的存储体的选择是由进行
记忆库使能信号。 SRAM的银行能显
最终， BES ＃选择SRAM银行。闪速存储器
银行的使能信号， BEF ＃选择闪存银行。
WE＃信号必须与软件的数据保护使用
控制擦除时化（ SDP ）的命令序列
和编程操作在闪速存储器区块。该
SDP命令序列可保护存储在数据
从意外修改闪存的银行。
该SST32HF202 / 802分之402提供的附加功能
被能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金及ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
