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SST32HF164-70-4C-TBK 参数 Datasheet PDF下载

SST32HF164-70-4C-TBK图片预览
型号: SST32HF164-70-4C-TBK
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内容描述: 多用途闪存( MPF) + SRAM ComboMemory [Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory]
分类和应用: 闪存静态存储器
文件页数/大小: 28 页 / 339 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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多用途闪存( MPF) + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
SST32HF802 / 162 / 164MPF ( X16 ) + 1Mb的SRAM ( X16 ) ComboMemories
数据表
产品特点:
• MPF + SRAM ComboMemory
- SST32HF802 : 512K X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF162 : 1M X16闪存+ 128K x16的SRAM
- SST32HF164 : 1M X16闪存+ 256K x16的SRAM
•单2.7-3.3V读写操作
•并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗:
- 工作电流:15 mA(典型值)的
Flash或SRAM读
- 待机电流: 20 μA (典型值)
•灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
•快速读取访问时间:
- 闪光: 70纳秒和90纳秒
- SRAM : 70纳秒至90纳秒
•锁存地址和数据的闪存
•闪存快速擦除和字编程:
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 字编程时间: 14 μs(典型值)
- 芯片重写时间:
SST32HF802 :8秒(典型值)
SST32HF162 / 164 :15秒(典型值)
•闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
• Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据#投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准命令集
•封装
- 48引脚TSOP (12毫米X 20毫米)
- 48球TBGA (10毫米x 12毫米)
产品说明
该SST32HF802 / 164分之162 ComboMemory设备英特
篦512K X16或X16的100万CMOS闪存库
用128K X16或X16 256K CMOS SRAM存储器组
在一个多芯片封装( MCP ) ,制造与SST的
专有的高性能超快闪技术。
拥有高性能的字编程,闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
14微秒。整个闪存银行可擦除和
编程的字的字中通常为8秒钟,以使
SST32HF802和15秒钟后SST32HF162 / 164 ,
使用界面功能,如翻转位或数据#当
投票指示完成程序操作。对
防止意外闪存写入时, SST32HF802 /
一百六十四分之一百六十二器件包含片上硬件和软件
数据保护schemes.The SST32HF802 /一百六十四分之一百六十二
器件提供10,000个周期的保证续航能力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST32HF802 / 164分之162装置由两个不知疲倦
与各银行下垂记忆库使显
良。闪存和SRAM存储器银行
叠加在相同的存储器地址空间。两
存储器区块共享公共地址线,数据线,
WE#和OE # 。的存储体的选择是由进行
记忆库使能信号。 SRAM的银行能显
最终, BES #选择SRAM银行。闪速存储器
©2001硅存储技术公司
S71171-05-000 8/01
520
1
银行的使能信号, BEF #选择闪存银行。
WE#信号必须与软件的数据保护使用
控制擦除时化( SDP )的命令序列
和编程操作在闪速存储器区块。该
SDP命令序列可保护存储在数据
从意外修改闪存的银行。
该SST32HF802 / 164分之162提供的附加功能
被能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时,银行执行以部门
擦除,银行擦除,或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号,并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始,该SRAM
银行可访问的读取或写入。
该SST32HF802 / 164分之162设备适合于应用
两者都使用的快闪存储器和SRAM存储器到系统蒸发散
存储代码或数据。对于需要低功耗系统和
小巧的外形,在SST32HF802 / 164分之162设备显
icantly提高性能和可靠性,同时降低
功耗,当有多个芯片相比
的解决方案。该SST32HF802 / 164分之162天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
强积金及ComboMemory均为Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。