16兆位并行的SuperFlash + 4/8 Mbit的PSRAM ComboMemory
SST34HF1641J / SST34HF1681J
SST34HF168116Mb CSF （ X8 / X16 ） + 2/4/8 Mb的SRAM （ X16 ） MCP ComboMemory
数据表
产品特点：
•闪光灯组织： 1M X16或X8 2M
•双银结构的并行
读/写操作
- 底部扇区保护
- 16兆位： 12兆位+ 4兆位
• PSRAM组织：
- 4兆位： 256K X16
- 8兆比特： 512K X16
•单2.7-3.3V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：25 mA（典型值）
- PSRAM待机电流： 40 μA （典型值）
•硬件扇区保护（ WP ＃ ）
- 保护4外大部分行业（ 4 KWord的）在
通过举办WP ＃低，取消保护大型银行
通过举办WP ＃高
•硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数据数组
•字节选择为Flash （ CIOF针）
- 选择8位或16位模式（ 56 -球包
只）
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•块擦除功能
- 统一32K字块
•读取时间
- 闪光： 70纳秒
- PSRAM ： 70纳秒
•擦除暂停/擦除恢复功能
•安全ID功能
- SST ： 128位
- 用户： 128位
•锁存地址和数据
•快速擦除和编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 35毫秒
- 计划时间： 7微秒
•自动写时序
=内部
V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准命令集
•封装
- 56球LFBGA （8毫米X 10毫米）
- 62球LFBGA （8毫米X 10毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST34HF16x1J ComboMemory器件集成
无论是1M X16或X8 2M CMOS闪存银行，
无论是256K X16或X16 512K CMOS伪SRAM
在多芯片封装（MCP ）（ PSRAM ）存储器区块。
这些器件采用SST专有的，高制造
高性能CMOS超快闪技术的掺入
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
以实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST34HF16x1J设备
是理想的应用，如蜂窝电话，全球定位系统
设备，PDA等便携式电子在一个设备
低功耗和小尺寸的系统。
该SST34HF16x1J功能双闪存库
体系结构允许的并发操作
2闪存银行和PSRAM 。该设备可以
读无论从银行，而擦除或编程数据
操作是在对岸进展。这两个闪光
©2006硅存储技术公司
S71336-00-000
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内存块被划分为12兆和4兆带
用于存储引导代码底部扇区保护选项，亲
克代码，配置/参数数据和用户数据。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。该SST34HF16x1J器件提供了瓜拉尼
开球10000次耐力。数据保留的额定功率为
超过100年以上。凭借高性能的程序
操作，闪速存储器组提供一个典型的亲
克时间为7微秒。整个闪存银行可以
擦除和编程的字的字中通常为4仲
哔声的SST34HF16x1J ，使用界面为特色的时
Tures的，如翻转位，数据＃查询或RY / BY ＃为
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
CSF和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
