32兆位并行的SuperFlash + 4/8 Mbit的PSRAM ComboMemory
SST34HF3244 / SST34HF3282 / SST34HF3284
SST34HF32x4x32Mb CSF + 4/8/16 Mb的SRAM （ X16 ） MCP ComboMemory
数据表
产品特点：
•闪光灯组织： 2M X16或X8 4M
•双银结构的并行
读/写操作
- 32 Mbit的顶部扇区保护
- SST34HF32x4 ： 8兆位+ 24Mbit
- SST34HF3282 ： 4兆位+ 28兆位
• PSRAM组织：
- 4兆位： 256K X16
- 8兆比特： 512K X16
•单2.7-3.3V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：25 mA（典型值）
- 待机电流： 20 μA （典型值）
•硬件扇区保护（ WP ＃ ）
- 保护8K字的小银行通过持有
WP ＃低，取消保护按住WP ＃高
•硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数据数组
•字节选择为Flash （ CIOF针）
=选择8位或16位模式
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
• FLASH芯片擦除功能
•块擦除功能
- 统一32K字块
•擦除暂停/擦除恢复功能
•读取时间
- 闪光： 70纳秒
- PSRAM ： 70纳秒
•安全ID功能
- SST ： 128位
- 用户： 256字节
•锁存地址和数据
•快速擦除和编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 35毫秒
- 计划时间： 7微秒
•自动写时序
=内部
V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准命令集
•封装
- 56球LFBGA （8毫米X 10毫米）
- 62球LFBGA （8毫米X 10毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST34HF3244 ， SST34HF3282和SST34HF3284
ComboMemory器件集成无论是x16的2M或4M ×8
与无论是256K X16或512K CMOS闪存库
在X16 CMOS伪SRAM （ PSRAM ）记忆库
多芯片封装（MCP ） 。这些设备被制造
采用SST专有的高性能CMOS超
Flash技术结合了分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入，以实现更高的可靠性
和
生产能力
相比
同
备用
的方法。该SST34HF32xx器件非常适合
应用，如蜂窝电话，GPS设备，PDA
并在低功耗其它便携式电子设备和
小型系统。
该SST34HF32xx配备双闪存库架构设计师用手工
tecture允许两者之间的并发操作
闪存银行和PSRAM 。该设备可以
读无论从银行，而擦除或编程数据
操作是在对岸进展。这两个闪光
©2006硅存储技术公司
S71335-00-000
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内存块被划分为4兆+ 28 MB或8
兆+ 24兆位与存储领域顶级保护方案
启动代码，程序代码，配置/参数数据
和用户数据。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。该SST34HF32xx器件提供了瓜拉尼
开球10000次耐力。数据保留的额定功率为
超过100年以上。凭借高性能的程序
操作，闪速存储器组提供一个典型的亲
克时间为7微秒。整个闪存银行可以
擦除和编程的字的字中通常为4仲
哔声的SST34HF32xx ，使用界面功能时，
如翻转位，数据＃查询或RY / BY ＃指示
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标Intel是Intel Corporation的注册商标。
CSF和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
