16百万位元双组闪存记忆
SST36VF1601C / SST36VF1602C
数据表
芯片擦除操作
该器件提供了全片擦除操作，这使得
用户可以清除所有部门/块到“ 1 ”的状态。这是
有用的设备必须快速擦除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。所有的COM
全片擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。参见表5所示的指令序列，图
当WP＃为低电平时，任何企图片擦除会
忽略不计。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是就绪/忙＃ （ RY /
BY ＃ ） ，数据＃投票（ DQ
7
） ，或翻转位（ DQ
6
）读得
是同时与写周期完成的。如果
发生这种情况时，系统可能会得到错误的结果，即
有效数据可能会与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。在
为了防止杂散抑制，如果错误的结果
发生时，软件程序应包括一个循环读取
所访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读操作是有效的，那么写周期已完成，其它 -
明智的拒绝是有效的。
就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）
该器件包含一个就绪/忙＃ （ RY / BY ＃ ）输出显
宇空。 RY / BY ＃是漏极开路输出引脚，用于指示
擦除或编程操作是否正在进行。
由于RY / BY ＃是漏极开路输出，它允许多个
设备并行地连接到V
DD
通过一个外部上拉
电阻器。经过最后的WE ＃脉冲的上升沿
命令序列中， RY / BY ＃状态有效。
当RY / BY＃正在积极拉低时，表示一个
擦除或编程操作正在进行中。当RY / BY ＃
是高（就绪） ，该设备可以被读出或在待机
模式。
擦除暂停/擦除恢复运营
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动进入阅读后在20微秒模式
在擦除暂停命令已发出。有效数据
可从没有停止任何部门或块被读
从擦除操作。读地址的位置
擦除悬浮部门内/块将输出DQ
2
瓶酒
岭大战和DQ
6
在“1” 。而在擦除暂停模式下，亲
允许除了扇区或块克操作
选择擦除暂停。要恢复扇区擦除或
这已经暂停块擦除操作，
系统必须发出擦除继续命令。该
操作通过发出一个字节的命令执行
序列在任何擦除继续命令（ 30H ）
解决该1字节的序列。
字节/字（ BYTE ＃ ）
该装置包括一个BYTE ＃引脚来控制是否
设备数据I / O引脚均x8或x16 。如果BYTE ＃引脚
在逻辑“1” （Ⅴ
IH
）该装置是在x16的数据结构：所有
数据I / 0引脚DQ
0
-DQ
15
是活动的，由CE＃控制
和OE ＃ 。
如果BYTE ＃引脚为逻辑“0”时，设备处于x8的数据CON-
成形：唯一的数据I / O引脚DQ
0
-DQ
7
活跃和反对
通过CE＃和OE ＃控制。引脚DQ剩余的数据
8
-
DQ
14
处于高阻，而引脚DQ
15
被用作地址
输入A
-1
用于地址总线的最低有效位。
写操作状态检测
这些器件提供了一个硬件和软件2
方法来检测完成的写（编程或
擦除）循环，以优化系统写周期
时间。硬件检测使用就绪/忙＃ （ RY /
BY＃ ）输出引脚。该软件的检测包括两个台站
状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。该
写操作结束后的上升检测模式被使能
边WE＃ ，启动内部编程或擦除
操作。
数据＃投票（ DQ
7
)
当设备处于内部程序运行过程中，
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。在内部擦除操作，任何
试图读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部
擦除操作完成时， DQ的
7
将产生一个'1'。该
之后的第4个WE ＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，块，或
芯片擦除，数据＃查询后上升沿有效
第六WE ＃ （或CE ＃）脉冲。参见图10为数据＃ Poll-
ING （ DQ
7
）的时序图和图24为一个流程图。
©2006硅存储技术公司
S71249-06-000
1/06
3
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
