16兆位（ X8 / X16 ）并行的SuperFlash
SST36VF1601E / SST36VF1602E
SST36VF1601E / 1602E16Mb （ X8 / X16 ）并行的SuperFlash
数据表
产品特点：
•组织为1M X16或X8 2M
•双行架构并行
读/写操作
- 16 Mbit的底部扇区保护
- SST36VF1601E ： 12兆位+ 4兆位
- 16 Mbit的顶部扇区保护
- SST36VF1602E ： 4兆位+ 12兆位
•单2.7-3.6V的读取和写入操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：6 mA典型
- 待机电流： 4 μA典型
- 自动节能模式： 4 μA典型
•硬件扇区保护/ WP ＃输入引脚
- 保护的4个行业的最外层（ 8K字）
在通过驱动WP ＃低的大银行，
取消保护通过驱动WP ＃高
•硬件复位引脚（ RST ＃ ）
- 复位内部状态机读
数组数据
•字节＃引脚
=选择8位或16位模式
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•芯片擦除功能
•块擦除功能
- 统一32K字块
•擦除暂停/擦除恢复功能
•安全ID功能
- SST ： 128位
- 用户： 128位
•快速读取访问时间
= 70纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和编程（典型值） ：
- 扇区擦除时间： 18毫秒
- 块擦除时间： 18毫秒
- 芯片擦除时间： 35毫秒
- 计划时间： 7微秒
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
=就绪/忙＃引脚
• CMOS I / O兼容性
•符合通用闪存接口（ CFI ）
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST36VF1601E和SST36VF1602E是1M X16或
2M ×8 CMOS并行读/写闪存MAN-
制造出来与SST专有的高性能CMOS
超快闪内存技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该器件写（编程或擦除）与2.7-3.6V
电源和符合JEDEC标准引脚排列
X8 / X16的回忆。
拥有高性能的计划，这些设备亲
韦迪为7微秒的典型编程时间，并使用切换
位，数据＃查询或RY / BY ＃检测完成
在编程或擦除操作。为了防止inad-
vertent写，该器件具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造，
并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
这些器件适用于需要CON-应用
近便和计划经济的升级，组态
化或数据存储器。对于所有的系统应用程序，该
设备显著提高性能和可靠性，
同时降低功耗。因为对于任何给定
电压范围， SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程，并且具有擦除时间更短，总
在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。这些设备
还可以提高灵活性，同时降低成本的方案，
数据和配置存储应用。
©2005硅存储技术公司
S71274-03-000
11/05
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
CSF是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
