512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）
许多-时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
SST37VF512 / 010 / 020 / 0402.7V -读取512KB /为1Mb / 2MB / 4Mb的（ X8 ） MTP闪存
数据表
产品特点：
•组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
?? 2.7-3.6V读操作
•卓越的可靠性
- 耐力：至少1000次
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 2 μA （典型值）
•快速读取访问时间：
= 70纳秒
•锁存地址和数据
•快速字节编程操作：
- 字节编程时间： 15 μs（典型值）
- 芯片编程时间：
1秒（典型值）的SST37VF512
2秒钟（典型值）的SST37VF010
4秒（典型值）的SST37VF020
8秒（典型值）的SST37VF040
•电擦除使用编程器
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除时间： 100毫秒（典型值）
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准的字节宽度的Flash
EEPROM的引脚排列
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
- 无铅（无铅）封装提供
产品说明
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040设备是64K ×8 / 128K
X8 / X8 256K / 512K ×8 CMOS ，很多时间可编程
（ MTP ） ，低成本的闪存，采用SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST37VF512 / 010 / 020 / 040可以
电擦除和编程的至少1000倍
使用外部编程器，例如，要改变的内容
在清点设备。该SST37VF512 / 010 / 020 / 040
已被编程之前擦除。这些设备
符合JEDEC标准的引脚排列字节宽的闪光
回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST37VF512 / 010 / 020 / 040提供了一个典型的字节亲
克时间15微秒。设计，制造和测试
对于多种应用，这些设备是
具有至少1000个循环的耐久提供。数据
保留的额定功率为100年以上。
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷适合于各种应用
需要频繁写入和低功耗的非易失性
存储。这些器件将提高灵活性，效率，
和性能，同时匹配在非易失性的低成本
当前使用的应用程序的UV - EPROM中，用OTP ，并
面具光盘。
以满足表面安装和常规通孔
要求， SST37VF512 / 010 / 020 / 040顷提供的
32引脚PLCC ， 32引脚TSOP和32引脚PDIP封装。
,
参见图2 ，图3和4为引脚分配。
设备操作
该SST37VF512 / 010 / 020 / 040器件的非易失性
可以用来代替标准的存储器解决方案
如果在系统不需要闪存器件的可编程性。它
在功能上（读）和引脚兼容行业
标准闪存products.The设备支持电
经由外部编程擦除操作。
读
在SST37VF512的读操作/ 010 / 020 / 040是
通过CE＃和OE ＃控制。既，CE＃和OE ＃必须
低的系统，以获得从所述输出数据。一旦
地址是稳定的，地址存取时间是等于
从CE＃到输出的延迟（T
CE
） 。数据可在
TOE的从OE ＃下降沿延迟后输出，
假设CE ＃引脚一直保持在低水平和地址
一直保持稳定至少吨
CE
-T
OE 。
当CE ＃引脚
高，芯片被取消和仅2待机电流
μA （典型值）的消耗。 OE＃为输出控制，并
用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线是在
当CE＃或OE ＃为V高阻抗状态
IH 。
参考
图5为时序图。
©2006硅存储技术公司
S71151-07-000
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1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MTP是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
