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SST39VF010-70-4I-WHE 参数 Datasheet PDF下载

SST39VF010-70-4I-WHE图片预览
型号: SST39VF010-70-4I-WHE
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内容描述: 512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 [512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 25 页 / 456 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
数据#投票( DQ
7
)
当SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 /
010/020/040是在内部程序运行过程中,
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后, DQ
7
将产生真正的数据。请注意,即使DQ
7
五月
具有有效数据的结束紧随其后
内部写操作,其余数据输出可
仍然是无效的:在整个数据总线上的有效数据将出现
在1的时间间隔后的后续读周期
微秒。在内部擦除操作,任何尝试读取
DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作
完成后, DQ
7
将产生一个'1'。该数据#查询
之后的第4个WE # (或CE # )的上升沿有效脉冲
程序操作。对于扇区或全片擦除,数据#
投票有效后的第6个WE # (或CE # )的上升沿
脉搏。参见图8为数据#查询时序图
软件数据保护( SDP )
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040提供了JEDEC核准的软件数据亲
对于所有数据修改操作,即,保护计划
克和擦除。任何编程操作要求
夹杂的一系列的三个字节的序列。三字节
装入序列用于启动编程操作,
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散,例如,在系统上电或断电。
任何擦除操作需要包含六个字节装入
序列。这些设备附带的软件
数据保护永久启用。请参阅表4为
具体的软件命令代码。在SDP命令
序,无效命令会中止器件读取
模式, T内
RC 。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39LF / VF512 , SST39LF / VF010 , SST39LF / VF020
和SST39LF / VF040和制造商为SST。这
模式可以由软件操作来访问。用户
可以使用该软件产品的识别操作,以
识别部分(即使用设备ID ),使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息,请参阅
ID进入和读取时序图,图18为
软件ID进入命令序列流程图。
表1 :P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF512
SST39LF/VF010
SST39LF/VF020
SST39LF/VF040
0001H
0001H
0001H
0001H
D4H
D5H
D6H
D7H
T1.1 1150
切换位( DQ
6
)
在内部编程或擦除操作,有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交替'0'
和'1' ,即0和1之间切换。当内部
编程或擦除操作完成后,触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE #上升沿触发位是有效的(或
CE# )脉冲编程操作。对于扇区或削片
擦除,切换位之后第六个上升沿有效
WE# (或CE #)脉冲。图9显示切换位定时dia-
克和图17的流程图。
数据
BFH
数据保护
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040提供硬件和软件功能
防止非易失性数据免受意外写操作。
0000H
硬件数据保护
噪声/毛刺保护: WE#或CE #脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测:写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式:强制OE #低, CE #高或WE#
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中,软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列,它返回到设备的读操作。
请注意,该软件ID退出命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码,图13为时序波形
形成,并且图18为一个流程图。
©2005硅存储技术公司
S71150-09-000
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