512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
表5 ： DC Ø
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 3.0-3.6V
为
SST39LF512/010/020/040
和
2.7-3.6V
为
SST39VF512/010/020/040
1
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
2
编程和擦除
3
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7V
DD
V
DD
-0.3
0.2
20
30
15
1
10
0.8
mA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT
，在f = 1 / T的
RC
民
V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = WE＃ = V
IH
，所有I / O开放
CE＃ = WE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
IHC
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T5.7 1150
对于前数据资料页上显示的有源电流1.典型的情况是在25 ℃的平均值
（室温）和V
DD
= 3V的VF设备。未经100％测试。
2.数值为70 ns的条件。见
多用途闪存额定功率
应用指南以获取更多信息。
最大3. 30毫安在工业温度范围内擦除操作。
表6 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
最低
100
100
单位
µs
µs
T6.1 1150
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表7 ：C
APACITANCE （ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T7.0 1150
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表8 ，R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
END1,2
T
DR1
I
LTH1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T8.3 1150
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2. N
结束
耐力评级资格10,000周期最低为整个设备。一个部门或块级评级将导致
较高的最低规格。
©2005硅存储技术公司
S71150-09-000
1/06
8
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
