8兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39LF080 / SST39VF080
SST39LF / VF0803.0 & 2.7V 8Mb的（ X8 ）强积金的回忆
EOL数据表
产品特点：
•组织为1M ×8
•单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF080
- 2.7-3.6V的SST39VF080
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流：12 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•块擦除功能
- 统一64千字节块
•快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST39LF080
- 70和90纳秒的SST39VF080
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值） SST39LF / VF080
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 40引脚TSOP （ 10毫米x10 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF080设备1M ×8 CMOS多陈建
造成闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39LF080写（编程或
擦除）与3.0-3.6V电源。该SST39VF080
写（编程或擦除）用2.7〜3.6V电源。
它们符合JEDEC标准的引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39LF /
VF080设备提供14典型字节编程时间
微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询，从而提供与
美食在完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供有保证的典型
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39LF / VF080设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
© 2007硅存储技术公司
S71146-07-EOL
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。它们还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF080提供40引脚TSOP和48-
球TFBGA封装。请参阅图1和图2为销
分配。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
