2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
表10 ：直流工作特性
V
DD
= 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A和2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A
1
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
2
编程和擦除
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7V
DD
V
DD
-0.3
0.2
30
30
20
1
10
0.8
V
V
V
V
mA
mA
µA
µA
µA
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
在f = 1 / T的
RC
敏
V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = WE＃ = V
IH
，所有I / O开放
CE＃ = WE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
IHC
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T10.7 1117
对于前数据资料页上显示的有源电流1.典型的情况是在25 ℃的平均值
（室温）和V
DD
= 3V的VF设备。未经100％测试。
2.数值为70 ns的条件。见
多用途闪存额定功率
应用指南以获取更多信息。
表11 ：建议的系统上电时序
符号
T
PU- READ
1
参数
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
最低
100
100
单位
µs
µs
T11.0 1117
T
PU-WRITE1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表12 ：电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T12.0 1117
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表13 ：可靠性特性
符号
N
END1,2
T
DR1
I
LTH1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T13.2 1117
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2. N
结束
耐力评级资格10,000周期最低为整个设备。一个部门或块级评级将导致
较高的最低规格。
© 2007硅存储技术公司
S71117-09-000
2/07
12
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
