2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
为了满足表面贴装的要求， SST39LF200A /
400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A提供的
48引脚TSOP封装， 48球TFBGA封装为
以及微封装。参见图2 ，图3和4，用于针
分配。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF200A / 400A / 800A和
SST39VF200A / 400A / 800A提供两个扇区擦除和
块擦除模式。扇区结构是基于
统一扇区大小的2K字。块擦除模式
基于对32K字的均匀的块大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除
通过执行一个6字节的命令开始运行
序列块擦除命令（ 50H ）和块
地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存的
第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。见图11和12，用于
时序波形。在见第期间发出的任何命令
tor-或块擦除操作将被忽略。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
读
该SST39LF200A的读操作/ 400A / 800A和
SST39VF200A / 400A / 800A通过CE＃和OE ＃控制，
既要低的系统，以获得从所述数据
输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为
高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻
状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读
对于进一步的细节周期的时序图（图5） 。
芯片擦除操作
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了全片擦除操作，这使得
用户能够擦除整个存储器阵列的“1”状态。这
是有用的，当整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列中，图10为时序图，
和图21的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字编程操作
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A编程就一个字，用字的基础。前
编程，其中单词存在一定的扇区
完全擦除。程序操作完成
三个步骤。第一步是3字节装入序列
软件数据保护。第二步骤是要加载
字地址和文字数据。在字编程
操作时，地址被锁存的下降沿
CE＃或WE＃ ，先到为准最后。该数据是
锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
CE＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将在20 μs内完成。参见图6和
7 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图18的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。发出的任何命令
内部程序运行过程中被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了两种软件方法来检测完成
一个写（编程或擦除）循环中，为了优化
系统的写入周期时间。软件检测包含
两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
).
写操作结束检测模式后上升启用
边WE＃ ，启动内部编程或擦除
操作。
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S71117-09-000
2/07
2
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