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SST39SF020A-70-4I-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST39SF020A-70-4I-NH图片预览
型号: SST39SF020A-70-4I-NH
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内容描述: 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 [1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 24 页 / 380 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
SST39SF010A / 020A / 0405.0V为1Mb / 2MB / 4Mb的( X8 )强积金的回忆
数据表
产品特点:
•组织为128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
•单4.5-5.5V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
(在14 MHz时的典型值)
- 工作电流10 mA(典型值)
- 待机电流: 30 μA (典型值)
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•快速读取访问时间:
- 45纳秒
= 70纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
- 芯片重写时间:
2秒钟(典型值)的SST39SF010A
4秒(典型值)的SST39SF020A
8秒(典型值)的SST39SF040
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据#投票
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST39SF010A / 020A / 040顷CMOS多用途
闪存( MPF)与SST专有的制造,高
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST39SF010A / 020A / 040器件写
(编程或擦除)以4.5-5.5V的电源。该
SST39SF010A / 020A / 040器件符合JEDEC标
准引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时,
SST39SF010A / 020A / 040器件提供了最大
字节编程20微秒的时间。这些器件使用翻转
位或数据#投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作,他们有
片上硬件和软件数据保护方案。
设计,制造和测试了一个宽的光谱
应用程序,这些设备提供了一个保证
10000次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
该SST39SF010A / 020A / 040器件适合于应用程序
需要的方便和经济更新阳离子
程序,配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序,它们显著提高性能和
可靠性,同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
© 2003硅存储技术公司
S71147-06-000
8/04
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
所施加的电压的函数,电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内,则超快闪
技术使用的编程电流更低,并有一个较短的
擦除时间,在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性,同时降低
成本为程序,数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此,系统软件
或硬件没有被修改或降额,是
必要时与其他闪存技术,其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求,
SST39SF010A / 020A / 040顷提供32引脚PLCC和
32引脚TSOP封装。 A 600万, 32引脚PDIP ,也
可用。参见图1 ,图2和3对引脚分配。