1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
数据表
AC特性
表9 ：v
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 4.5-5.5V
SST39SF010A/020A/040-45
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
15
15
0
民
45
45
45
25
0
0
25
25
最大
SST39SF010A/020A/040-70
民
70
70
70
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T9.4 1147
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
SCE
参数
字节编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
CE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
芯片擦除
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
150
25
100
民
最大
20
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
T10.1 1147
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
© 2003硅存储技术公司
S71147-06-000
8/04
9
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
