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SST39SF020-70-4C-PH 参数 Datasheet PDF下载

SST39SF020-70-4C-PH图片预览
型号: SST39SF020-70-4C-PH
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内容描述: 2兆位( 256K ×8 )多用途闪存 [2 Megabit (256K x 8) Multi-Purpose Flash]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 23 页 / 230 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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2兆位( 256K ×8 )多用途闪存
SST39SF020
初步规格
产品特点:
•组织为256 ; K X 8
•单5.0V读取和写入操作
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗:
- 工作电流:20 mA(典型值)
- 待机电流: 10 μA (典型值)
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•快速读取访问时间:
- 70和90纳秒
•锁存地址和数据
•快速扇区擦除和字节编程:
- 扇区擦除时间: 7毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 15毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 20 μs(典型值)
- 芯片重写时间: 5秒(典型值)
•自动写时序
- 内部V
pp
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据#投票
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- EEPROM的引脚和指令集
•封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
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产品说明
该SST39SF020是256K ×8 CMOS多用途
闪存( MPF)与SST专有的制造,高
高性能CMOS SuperFlash技术。拆分
栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现
更好的可靠性和可制造与比较
另一种方法。该SST39SF020设备写入
(编程或擦除)具有5.0V - only供电。该
SST39SF020装置符合JEDEC标准
引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节程序中,
SST39SF020装置提供的最大字节亲
克时间为30微秒。整个存储器可擦除
和编程的逐字节通常是在5秒
使用界面功能,如翻转位或当
数据#投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作时,
SST39SF020器件具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计,制造
捕获的原始图像,并测试了广泛的应用中,光谱
SST39SF020设备提供了保证endur-
ANCE的10,000次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39SF020装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级,
配置或数据存储器。对于所有系统应用
中,请在SST39SF020设备显著改善
性能和可靠性,同时降低功耗
消费。该SST39SF020本身使用较少
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压,施加电流和时间。
因为对于任何给定的电压范围内,则超快闪技
术使用的编程电流更低,且具有更短
擦除时间,在此期间的任何擦除所消耗的总能量
或编程操作是低于其他闪存技
nologies 。该SST39SF020设备也提高了flex-
ibility ,同时降低了成本,程序,数据和
配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍,独立耐力的数目
已经发生的周期。因此,该系统的软
制品或硬件没有被修改或DE-
额,这一点与其他闪存技术,
其擦除和编程次数的增加与accumu-
迟来的读写周期。
为了满足高密度的表面安装的要求,
SST39SF020器件采用32引脚TSOP和32位提供
引脚PLCC封装。 A 600万, 32引脚PDIP ,也
可用。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE#置为低电平,同时
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©1998硅存储技术公司的SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ,Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
326-10 12/98
规格若有变更,恕不另行通知。
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