1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
初步speci fi cation
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
查询或翻转位的方法。参见图9为计时
波形。在扇区中写入任何命令
擦除操作将被忽略。
读
在SST39SF010A / 020A / 040的读操作
通过CE＃和OE ＃控制，都具有很低的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE ＃为高电平时，芯片被取消
只有待机功耗。 OE＃为输出
控制，并用于从所述门控输出引脚的数据。该
数据总线处于高阻抗状态，当CE＃或
OE ＃为高电平。请参见读周期时序图（图 -
芯片擦除操作
该SST39SF010A / 020A / 040提供芯片擦除操作
化，从而允许用户将擦除整个存储器
阵列到“1”状态。这是很有用的整个装置时
必须尽快清除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为5555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。在内部擦除操作，唯一有效的读
是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令
序列，图10为时序图，图18为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST39SF010A / 020A / 040顷编程在字节级
逐字节的基础。在编程之前，必须确保
的扇区，其中，所述字节正被编程的
存在，是完全erased.The程序操作包括
三个步骤。第一步是三字节序列载荷
软件数据保护。第二步骤是要加载
字节地址和字节的数据。在字节编程
操作时，地址被锁存的下降沿
CE＃或WE＃ ，先到为准最后。该数据是
锁存， CE＃或WE ＃的上升沿，取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE＃上升沿启动或
CE＃ ，以先到为准。编程操作，一旦
开始，将完成，在20微秒。参见图5和
6 WE＃和CE ＃控制的编程操作时序
图和图15的流程图。在计划
操作时，唯一有效的读操作是数据＃投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作，主机
自由地执行其他任务。任何书面命令
内部编程操作期间将被忽略。
写操作状态检测
该SST39SF010A / 020A / 040提供了两种软件的手段
检测完成写（编程或擦除）的
周期中，为了优化系统写周期时间。该
软件检测包含两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式后的WE＃上升沿这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于4K字节均匀的扇区大小。在扇区
通过执行一个六字节的COM启动擦除操作
软件数据保护与命令装载序列
扇区擦除命令（ 30H）和扇区地址（SA）中
最后一个总线周期。扇区地址被锁存的下降沿继续
荷兰国际集团的6个WE＃脉冲的边缘，而命令（ 30H ）
被锁在6个WE＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
最终的擦除就可以利用数据＃确定
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39SF010A / 020A / 040顷在内部亲
克操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的
配合真实的数据。一旦程序运行
完成后， DQ的
7
将产生真正的数据。该装置是
然后准备下一次操作。在内部擦除
操作中，任何尝试读取DQ
7
会产生一个'0'。一旦
内部擦除操作完成后， DQ
7
会产生
一个“1”。之后的上升沿数据＃投票是有效的
第四WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于见第
S71147-02-000 5/01
398
©2001硅存储技术公司
2
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
