1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
初步speci fi cation
tor-或全片擦除，数据＃查询后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为数据＃
轮询的时序图和图16为一个流程图。
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST39SF040 ， SST39SF010A ，或SST39SF020A和
制造商为SST。这种模式可以用软件来访问
洁具操作。用户可能希望使用该软件的精良
UCT识别操作来识别部分（即使用
在相同的使用多个制造商时，设备ID ）
插座。有关详细信息，请参阅表3对硬件的操作或
表4对软件的操作，图11为软件标识
输入和读取时序图和图17的ID
进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39SF010A
SST39SF020A
SST39SF040
0001H
0001H
0001H
B5H
B6H
B7H
T1.2 398
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1 ，即，切换0和1之间。当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE ＃上升沿触发位是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或削片
擦除，切换位之后第六个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图8的翻转位时序dia-
克和图16为一个流程图。
数据
BFH
0000H
数据保护
该SST39SF010A / 020A / 040同时提供硬件和
软件功能以防止不经意的非易失性数据
耳鼻喉科写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出退出ID命令序列， plished这
返回设备的读操作。请注意
在一个内部软件复位命令被忽略
编程或擦除操作。见表4软件的COM
命令代码，图12为时序波形图17
为一个流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39SF010A / 020A / 040提供的JEDEC
对所有数据已批准的软件的数据保护方案
修改操作，即编程和擦除。任何亲
克操作需要包含的三个系列
字节序列。三个字节装入序列用于
启动编程操作，提供最佳的保护
防止意外写操作，如系统中
上电或断电。任何擦除操作要求
包含六个字节装入序列。该SST39SF010A /
020A / 040设备附带的软件数据亲
tection永久启用。请参阅表4的具体
软件命令代码。在SDP命令
序，无效命令会中止器件读取
模式， T内
RC
.
©2001硅存储技术公司
S71147-02-000 5/01
398
3
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
