512千位（ X8 ）多用途闪存
SST39SF512
SST39SF5125.0V 512KB （ X8 ）强积金内存
数据表
产品特点：
•组织为64K ×8
•单4.5-5.5V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
（在14 MHz时的典型值）
- 工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•快速读取访问时间：
= 70纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间： 7毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 15毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 20 μs（典型值）
- 芯片重写时间：2秒（典型值）
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST39SF512是CMOS多用途闪存（ MPF）
与SST专有的高性能制造
CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST39SF512设备写（编程或擦除）与
4.5-5.5V供电。该SST39SF512设备符合
JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39SF512设备提供的最大字节编程
30微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃
投票指示完成程序操作。对
防止意外写，他们对芯片硬件
洁具和软件数据保护方案。设计，
制，以及用于广泛的应用范围测试
系统蒸发散，这些器件提供有保证的典型
续航能力为10万次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39SF512设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
© 2003硅存储技术公司
S71149-05-000
11/03
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39SF512均提供32引脚PLCC ， 32引脚TSOP
,
和600万， 32引脚PDIP封装。参见图1，2，
和3引脚分配。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
