欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SST39VF3201 参数 Datasheet PDF下载

SST39VF3201图片预览
型号: SST39VF3201
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 16兆位/ 32兆位/ 64兆位( X16 )多用途闪存+ [16 Mbit / 32 Mbit / 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 32 页 / 511 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
 浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SST39VF3201的Datasheet PDF文件第9页  
16兆位/ 32兆位/ 64兆位( X16 )多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
SST39VF160x /子320x / 640x2.7V 16兆/ 32MB / 64兆( X16 ) MPF +记忆
数据表
产品特点:
•组织为1M X16 : SST39VF1601 / 1602
2M X16 : SST39VF3201 / 3202
4M X16 : SST39VF6401 / 6402
•单电压读写操作
– 2.7-3.6V
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗( 5 MHz时典型值)
- 工作电流:9 ​​mA(典型值)
- 待机电流: 3 μA (典型值)
- 自动节能模式: 3 μA (典型值)
•硬件块保护/ WP #输入引脚
- 热门块保护(上32K字)
对于SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二
- 底部块保护(底部32K字)
对于SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•块擦除功能
- 统一32K字块
•芯片擦除功能
•擦除暂停/擦除恢复功能
•硬件复位引脚( RST # )
•安全-ID功能
- SST : 128位;用户: 128位
•快速读取访问时间:
= 70纳秒
= 90纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字编程:
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 40毫秒(典型值)
- 字编程时间: 7 μs(典型值)
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据#投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 48引脚TSOP (12毫米X 20毫米)
- 48球TFBGA封装( 6× 8毫米)为16M和32M
- 48球TFBGA (8毫米X 10毫米)为64M
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST39VF160x / 320x的/ 640X器件X16 1M ,2M
分别为X16和X16 4M , CMOS多用途
闪存+ ( MPF + )与SST专有的制造,
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF160x / 320x的/ 640X
写(编程或擦除)用2.7〜3.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列
X16的回忆。
具有高性能的字编程能力,
SST39VF160x /子320x / 640X器件提供了一个典型字
7微秒节目时间。这些器件使用翻转位或
数据#投票指示完成程序的操作
化。为了防止意外写操作,他们有片
硬件和软件数据保护方案。
设计,制造和测试了一个宽的光谱
应用程序,这些设备提供了一个保证
10万次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
该SST39VF160x /子320x / 640×装置适合于应用程序
需要的方便和经济更新阳离子
程序,配置或数据存储器。对于所有系统
的应用程序,它们显著提高性能和
可靠性,同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数,电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内,则超快闪
技术使用的编程电流更低,并有一个较短的
擦除时间,在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性,同时降低
成本为程序,数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此,系统软件
或硬件没有被修改或降额,是
必要时与其他闪存技术,其
擦除和编程累积次数的增加
擦除/编程周期。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
©2005硅存储技术公司
S71223-04-000
11/05
1