32兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39VF320
SST39VF3202.7V 32Mb的（ X16 ）强积金内存
初步规格
产品特点：
•组织为2M X16
•单2.7-3.6V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•块擦除功能
- 统一32K字块
•快速读取访问时间
= 70纳秒
= 90纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值）
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39VF320器件2M x16的CMOS多陈建
造成闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39VF320写（编程或
擦除）与2.7〜3.6V电源。
具有高性能的字编程能力，
SST39VF320器件提供了一个典型字编程
7微秒的时间。该器件使用翻转位或数据＃查询
指示完成程序操作。为了保护
防止误写入，这些器件具有片上硬件
洁具和软件数据保护方案。设计，
制，以及用于广泛的应用范围测试
中，请在SST39VF320提供有保证的典型
CAL耐力100,000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
的SST39VF320设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
在SST39VF320显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。该
SST39VF320擦除过程中会本能地使用更少的能源，
程序比其他闪存技术。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围， SuperFlash技术使用更少的电流亲
© 2003硅存储技术公司
S71143-02-000
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克，并且具有擦除时间更短，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该器件还可以提高
的灵活性，同时降低了成本，程序，数据和反对
成形存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF320提供48引脚TSOP和48球
TFBGA封装。参见图1和图2的引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
