2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A /
400A / 800A的内部程序操作，任何
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该设备然后准备进行下一次
操作。在内部擦除操作，任何企图
阅读DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作
化完成后， DQ
7
将产生一个'1'。数据＃投票
是后4个WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿有效脉冲
对于编程操作。对于扇区，块或片擦除，
数据＃查询后的第6个WE ＃上升沿有效
（或CE ＃）脉冲。参见图6数据＃投票时间dia-
克和图17的流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了JEDEC核准的软件数据保护
对于所有数据修改操作化计划，即计划
和擦除。任何程序运行需要列入
三字节序列。这三个字节装入序列
用于启动编程操作，提供最佳
保护防止意外写操作，例如，在
在系统上电或断电。任何擦除操作
需要包含六个字节序列。本组
设备附带的软件数据保护per-
manently启用。请参阅表4为特定的软件
命令代码。在SDP命令序列，无效
命令会中止器件内TRC阅读模式。
DQ的内容
15
-DQ
8
可以是V
IL
或V
IH
外，无其它
值，在任何SDP命令序列。
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变1秒
和为0，即，切换0. 1至当内部
编程或擦除操作完成后， DQ
6
位会
停止切换。该设备然后准备下一次操作
化。切换位后的第四个上升沿有效。
WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区，
块擦除或芯片擦除，切换位后上涨有效
6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的边缘。参见图7为切换
位的时序图和图17为一个流程图。
通用闪存接口（ CFI ）
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A还包含CFI信息来形容煤焦
该装置的Cucumis Sativus查阅全文。为了进入CFI查询
模式下，系统必须写3字节的序列，同
与98H软件ID进入命令（ CFI查询的COM
命令），以解决5555H中的最后一个字节序列。一旦
该器件进入CFI查询模式，系统可以
在经过9在表5中给出的地址读出的CFI数据。
该系统必须写入CFI退出命令返回到
读取CFI查询模式模式。
数据保护
该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A /
800A提供了硬件和软件功能来亲
从意外写TECT非易失性数据。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
©2001硅存储技术公司
S71117-04-000 6/01
360
3
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
