2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
表2 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
MS1
-A
0
DQ
15
-DQ
0
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。在扇区擦除
MS
-A
11
地址线用于选择
部门。在块擦除
MS
-A
15
地址线用于选择块。
要在读周期输出数据，并在写周期接收输入数据。
数据在一个写周期内锁定。
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供电源电压：
3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A
2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A
CE＃
OE ＃
WE＃
V
DD
V
SS
NC
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
地
无连接
未连接引脚。
T2.2 360
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
16
对于SST39LF / VF200A ，A
17
对于SST39LF / VF400A ，和A
18
对于SST39LF / VF800A
表3 ：O型
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
模式
读
节目
抹去
待机
写禁止
产品标识
软件模式
V
IL
V
IL
V
IH
见表4
T3.4 360
CE＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
X
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IH
DQ
D
OUT
D
IN
X
1
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
地址
A
IN
A
IN
扇区或块地址，
XXH芯片擦
X
X
X
1. X可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
©2001硅存储技术公司
S71117-04-000 6/01
360
7
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
