64兆位（ X16 ）多用途闪存+
SST39VF6401B / SST39VF6402B
SST39VF640xB2.7V 64兆（ X16 ） MPF +记忆
数据表
产品特点：
•组织为4M X16
•单电压读写操作
– 2.7-3.6V
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：9 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
•硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
对于SST39VF6402B
- 底部块保护（底部32K字）
对于SST39VF6401B
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•块擦除功能
- 统一32K字块
•芯片擦除功能
•擦除暂停/擦除恢复功能
•硬件复位引脚（ RST ＃ ）
•安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
•快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚分配
- 软件命令序列的兼容性
- 地址格式为11位，A
10
-A
0
- 块擦除第六总线写周期为30H。
- 扇区擦除第六总线写周期是50H
•封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 48球TFBGA （8毫米X 10毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF640xB器件采用48引脚TSOP和
48球TFBGA封装。请参阅图1和图2为销
分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
产品说明
该SST39VF640xB设备是4M x16的CMOS多
目的闪存+ （ MPF + ）与SST的亲制造
专有的，高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39VF640xB写（亲
克或擦除）用2.7〜3.6V电源。这些
器件符合JEDEC标准引脚分配
X16的回忆。
具有高性能的字编程能力，
SST39VF640xB设备提供了一个典型字编程
7微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团表示完成计划操作。要亲
TECT防止误写入，他们有片上硬件
和软件数据保护方案。设计，制造
factured ，并测试了广泛的应用范围，
这些器件提供了一个保证典型endur-
ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大
超过100年。
该SST39VF640xB设备适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
©2006硅存储技术公司
S71288-02-000
7/06
1
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
