4兆位（ X16 ）多用途闪存
SST39WF400A
SST39WF400A1.8V 4Mb的（ X16 ）强积金内存
数据表
产品特点：
•组织为256K X16
•单电压读写操作
– 1.65-1.95V
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：5 mA（典型值）
- 待机电流： 1 μA （典型值）
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•块擦除功能
- 统一32K字块
•快速读取访问时间
= 90纳秒
= 100纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 36毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 140毫秒（典型值）
- 字编程时间： 28 μs（典型值）
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
- 48球WFBGA （ 4× 6毫米）微型封装
- 48焊球XFLGA （ 4× 6毫米）微型封装
产品说明
该SST39WF400A装置是256K x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST39WF400A写（亲
克或擦除）与1.65-1.95V电源。这
器件符合JEDEC标准引脚分配
X16的回忆。
特色
高性能
字编程，
该
SST39WF400A设备提供了一个典型字编程
28微秒的时间。该设备采用翻转位或数据＃ Poll-
荷兰国际集团检测完成计划或擦除操作
化。为了防止意外写操作，它具有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用，该器件提供了一个保证典型
续航能力为10万次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39WF400A装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它显著提高了性能和可靠性，同时
降低功耗。它本质上使用更少的能源
© 2003硅存储技术公司
S71220-04-000
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擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。当编程闪存设备，总能量
消耗是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。这些器件还可以提高灵活性
同时降低成本为程序，数据和配置
存储的应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
以满足表面安装的要求， SST39WF400A
提供两个48球TFBGA封装， 48球
微型封装。参见图1和图2的引脚分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
