8兆位/ 16兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39LF080 / SST39LF016 / SST39VF080 / SST39VF016
SST39LF / VF080 / 0163.0 & 2.7V 8MB / 16兆（ X8 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
•组织为1M ×8 / 2M ×8
•单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF080 / 016
- 2.7-3.6V的SST39VF080 / 016
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
- 自动节能模式： 4 μA （典型值）
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•块擦除功能
- 统一64千字节块
•快速读取访问时间：
- 55纳秒的SST39LF080 / 016
- 70和90纳秒的SST39VF080 / 016
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
15秒（典型值） SST39LF / VF080
30秒（典型值） SST39LF / VF016
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 40引脚TSOP （ 10毫米x10 20毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016设备
1M ×8 / 2M ×8 CMOS多用途闪存（ MPF）制造
factured与SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚
氧化物隧道喷油器实现更高的可靠性和制造
turability与其他方法相比。该
SST39LF080 / 016写（编程或擦除）与3.0-3.6V
电源。该SST39VF080 / 016写（编程或
擦除）与2.7〜3.6V电源。它们符合
JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时， SST39LF /
VF080和SST39LF / VF016设备提供了一个典型的
字节编程14微秒的时间。该器件使用翻转位
或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作，他们有
片上硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016设备
适合于和适用于需要方便econom-
程序，配置或数据存储器中的iCal更新。
对于所有系统应用，他们显著改善per-
性能和可靠性，同时降低功耗。
©2001硅存储技术公司
S71146-03-000 6/01
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他们擦除和编程过程中会本能地使用更少的能源
比其他闪存技术。在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。他们还提高了灵活性，同时小写
荷兰国际集团的成本为程序，数据和配置存储
应用程序。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39LF / VF080和SST39LF / VF016提供在40-
引脚TSOP和48球TFBGA封装。见图1
和2引脚。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
