16兆位多用途闪存
SST39VF160Q / SST39VF160
超前信息
AC特性
T
ABLE
12 ： SST39VF160Q / VF160 ř
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
SST39VF160Q / VF160-70 SST39VF160Q / VF160-90
参数
民
最大
民
最大
单位
读周期时间
70
90
ns
芯片使能存取时间
70
90
ns
地址访问时间
70
90
ns
输出启用访问时间
30
40
ns
CE＃低电平至输出
0
0
ns
OE ＃低到有源输出
0
0
ns
CE＃高到高阻输出
20
30
ns
OE ＃高到高阻输出
20
30
ns
从地址变更输出保持
0
0
ns
329 PGM T13.1
T
ABLE
13: P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
参数
T
BP
Word程序时
T
AS
地址建立时间
T
AH
地址保持时间
T
CS
WE＃和CE ＃建立时间
T
CH
WE＃和CE ＃保持时间
T
OES
OE ＃高的建立时间
T
OEH
OE ＃高保持时间
T
CP
CE＃脉冲宽度
T
WP
WE＃脉冲宽度
T
WPH （1）
WE＃脉冲宽高
T
CPH （1）
CE＃脉冲宽高
T
DS
数据建立时间
T
DH （ 1 ）
数据保持时间
T
IDA （1）
软件ID准入和退出时间
T
SE
扇区擦除
T
BE
块擦除
T
SCE
芯片擦除
民
0
30
0
0
0
0
40
40
30
30
30
0
最大
10
150
4
10
20
单位
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
329 PGM T14.2
注意：
（1）本
参数仅在初步认证，并在设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
©1998硅存储技术公司
10
329-09 11/98
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
