8兆位（ 512K ×16位）多用途闪存
SST39VF800Q / SST39VF800
超前信息
产品特点：
•组织为512 ; K X 16
•单2.7-3.6V读写操作
• V
DDQ
电源支持5V的I / O
对于SST39VF800Q
- V
DDQ
不SST39VF800提供
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
- 自动节能模式： 3 μA （典型值）
•小扇区擦除功能（ 256个扇区）
- 统一2K字扇区
•块擦除能力（ 16块）
- 统一32K字块
•快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
产品说明
该SST39VF800Q / VF800设备是512K ×16
CMOS多用途闪存（ MPF）与制造
SST专有的高性能CMOS超快闪
技术。分裂栅单元设计和厚氧化
隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST39VF800Q / VF800写（编程或擦除）
用2.7-3.6V电源。该SST39VF800Q /
VF800符合JEDEC标准的引脚排列X16
回忆。
拥有高性能的Word程序时，
SST39VF800Q / VF800设备提供了一个典型字
14微秒的节目时间。整个内存可以典型
美云进行擦除和编程的字的字中8
秒，在使用界面功能，如切换
位或数据＃投票指示完成计划
操作。为了防止意外写操作时，
SST39VF800Q / VF800具有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，光谱
SST39VF800Q / VF800提供了保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39VF800Q / VF800设备适合于应用程序
需要方便和经济更新阳离子
的程序，配置或数据存储器。对于所有的系
统的应用， SST39VF800Q / VF800显
着地提高性能和可靠性，同时低级
荷兰国际集团的功耗。该SST39VF800Q / VF800 IN-
•锁存地址和数据
•快速扇区擦除和Word程序：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：8秒（典型值）
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
- 6× 8球TFBGA
擦除和编程比在herently使用更少的能源
其他闪存技术。在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有更短的擦除时间，总的能量消耗
任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该SST39VF800Q /
VF800还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和
程序倍，独立擦除的数目/
已发生的项目周期。因此，系
统软件或硬件没有被修改
或降额，这一点不同于其他闪存技
与nologies ，其擦除和编程时间增加
累积的擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF800Q / VF800提供48引脚TSOP和
48引脚TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作
该装置的功能。命令被写入到
器件采用标准的微处理器写序列。
在写入命令时将WE＃置为低电平，同时
CE＃保持低电平。地址总线被锁存的
下降沿WE＃或CE＃ ，最后为准。该
数据总线被锁定在WE＃或CE ＃的上升沿，
以先到为准。
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©1999硅存储技术， Inc.The SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
343-04 2/99
规格若有变更，恕不另行通知。
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SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
