1兆位（ 64K ×16）多用途闪存
SST39LF100 / SST39VF100
SST39LF / VF1003.0 & 2.7V 1 MB（ X16 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
•组织为64K X16
•单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF100
- 2.7-3.6V的SST39VF100
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 3 μA （典型值）
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•快速读取访问时间
- 45纳秒的SST39LF100
- 70纳秒的SST39VF100
•锁存地址和数据
•快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：1秒（典型值）
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• CMOS I / O兼容性
- JEDEC标准命令集
•封装
- 40引脚TSOP （ 10毫米x10 14毫米）
- 48球TFBGA封装（ 6× 8毫米）
产品说明
该SST39LF / VF100设备是64K x16的CMOS多
通用闪存（ MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
备用
的方法。
该
SST39LF100
和
SST39VF100写（编程或擦除）用一个电压
的3.0-3.6V和2.7-3.6V ，年龄分别供电。
具有高性能的字编程能力， SST39LF /
VF100设备提供14典型字编程时间
微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询检测
在完成编程或擦除操作。要亲
TECT防止误写入，在SST39LF / VF100有
片上硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用， SST39LF / VF100提供了瓜尔
10000次耐力及担。数据额定保存
在100年以上。
该SST39LF / VF100设备适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，在SST39LF / VF100显著改善
性能和可靠性，同时降低功率消耗
化。该SST39LF / VF100本能地使用更少的能源能很好地协同
荷兰国际集团擦除和编程比其他闪存技术。
所消耗的总能量是所施加电压的函数的
年龄，电流和应用的时间。因为对于任何给定
电压范围， SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程，并且具有擦除时间更短，总
©2001硅存储技术公司
S71129-02-000 6/01
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在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。该SST39LF /
VF100还可以提高灵活性，同时降低了成本
程序，数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足表面贴装的要求， SST39LF / VF100
在40引脚TSOP和48球TFBGA封装提供。
参见图1引脚排列。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
