512千位/ 1兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39SF512 / SST39SF010
SST39SF512 / 0105.0V 512KB / 1Mb的（ X8 ）强积金的回忆
数据表
产品特点：
•组织为64K ×8 / 128K ×8
•单5.0V读取和写入操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 工作电流：20 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•快速读取访问时间：
= 70纳秒
= 90纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 7毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 15毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 20 μs（典型值）
- 芯片重写时间：
2秒钟（典型值）的SST39SF512
3秒（典型值）的SST39SF010
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST39SF512 / 010号为CMOS多用途闪存
（ MPF）与SST专有的，高perfor-制造
曼斯CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更可靠
交替比较能力和制造
的方法。 / 010器件写SST39SF512 （亲
克或擦除）与5.0V - only供电。该
SST39SF512 / 010器件符合JEDEC标准
引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39SF512 / 010器件提供了最大字节亲
克时间为30微秒。这些器件使用翻转位或
数据＃投票指示完成程序的操作
化。为了防止意外写操作，他们有片
硬件和软件数据保护方案。
设计，制造和测试了一个宽的光谱
应用程序，这些设备提供了一个保证
续航能力达10000次。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST39SF512 / 010器件适合于应用
需要亲的方便和经济更新
克，配置或数据存储器。对于所有的系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程过程中ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。所消耗的总能量是
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并有一个较短的
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
程序运行低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39SF512 / 010号在32引脚PLCC封装，
32引脚TSOP和600万， 32引脚PDIP也可以。
,
参见图1 ，图2和3为插脚引线。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
©2001硅存储技术公司
S71149-03-000 4/01
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1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
