512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
数据＃投票（ DQ
7
)
当SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 /
010/020/040是在内部程序运行过程中，
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后， DQ
7
将产生真正的数据。该设备然后准备进行下一次
操作。在内部擦除操作，任何企图
阅读DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作
化完成后， DQ
7
将产生一个'1'。数据＃投票
是后4个WE ＃ （或CE ＃ ）的上升沿有效脉冲
对于编程操作。对于扇区或芯片擦除时，
之后的6个WE＃上升沿数据＃投票是有效的（或
CE＃）脉冲。参见图7为数据＃查询时序图
图16为一个流程图。
软件数据保护（ SDP ）
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040提供了JEDEC核准的软件数据亲
对于所有数据修改操作，即，保护计划
克和擦除。任何编程操作要求
夹杂的一系列的三个字节序列。三
字节装入序列用于启动编程操作
化，提供防止意外写最佳保护
操作，例如，在系统上电或加电
下来。任何擦除操作需要包含六个
字节装入序列。这些设备随
软件数据保护永久启用。请参阅表
4，用于在特定的软件命令代码。在SDP
命令序列，无效命令会中止
设备读取模式， T内
RC
.
切换位（ DQ
6
)
在内部编程或擦除操作，有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1 ，即，切换0和1之间。当内部
编程或擦除操作完成后，触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE ＃上升沿触发位是有效的（或
CE＃ ）脉冲编程操作。对于扇区或削片
擦除，切换位之后第六个上升沿有效
WE＃ （或CE ＃）脉冲。参见图8的翻转位时序dia-
克和图16为一个流程图。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39LF / VF512 ， SST39LF / VF010 ， SST39LF / VF020
和SST39LF / VF040和制造商为SST。这
模式可以由软件操作来访问。用户
可以使用该软件产品的识别操作，以
识别部分（即使用设备ID ），使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息，请参阅
表4对软件的操作，图11中的软件
ID进入和读取时序图，图17为
软件ID进入命令序列流程图。
表1 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF512
SST39LF/VF010
SST39LF/VF020
SST39LF/VF040
0000H
0001H
0001H
0001H
0001H
数据
BFH
D4H
D5H
D6H
D7H
T1.1 395
数据保护
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040提供硬件和软件功能
防止非易失性数据免受意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测：写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中，软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列，它返回到设备的读操作。
请注意，该软件ID退出命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码，图12为时序波形
形成，并且图17为一个流程图。
©2001硅存储技术公司
S71150-03-000 6/01
395
3
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
