1兆位串行闪存
SST45LF010
数据表
表6 ：C
APACITANCE
参数
C
OUT
C
IN1
1
（ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
输出引脚电容
输入电容
测试条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T6.1 372
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表7 ，R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
END1
T
DR
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T7.1 372
I
LTH1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表8 ： AC Ø
操作摄像机
C
极特
, V
DD
= 3.0-3.6V
范围
符号
F
CLK
T
SCKH
T
SCKL
T
CES
T
CEH
T
CPH
T
CHZ
T
CLZ
T
RLZ
T
DS
T
DH
T
OH
T
V
T
WPS
T
WPH
T
SE
T
SCE
T
BP
T
RST
T
REC
T
PURST
参数
串行时钟频率
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
CE＃建立时间
CE＃保持时间
CE＃高电平时间
CE＃高到高阻输出
SCK低到低Z输出
RST ＃低到输出高阻态
数据建立时间
数据保持时间
从SCK变化输出保持
输出有效期从SCK
写保护设置时间
写保护保持时间
扇区擦除
芯片擦除
字节编程
复位脉冲宽度
复位恢复时间
复位时间后，电
10
10
1
10
10
25
100
20
20
20
0
35
0
25
45
45
250
250
250
25
民
最大
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
µs
µs
µs
µs
T8.2 372
© 2003硅存储技术公司
S71128-04-000 3/03
372
7
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
