4 Mbit的固件枢纽
SST49LF004B
SST49LF002B / 003B / 004B4Mb固件枢纽
初步规格
产品特点：
• 4代码/数据兆位超快闪存储器阵列
存储
• SST49LF004B ： 512K ×8 （ 4兆）
•符合英特尔LPC接口规范
- 支持单字节固件存储器
周期类型
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一64 K字节覆盖块
- 芯片擦除的PP模式下
•单3.0-3.6V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 读操作工作电流：6 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•快速扇区擦除/字节编程操作
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：8秒（典型值）
- 单脉冲编程或擦除
- 内部时序产生
• CMOS和PCI I / O兼容性
•两种操作模式
- 低引脚数（ LPC ）接口模式
在系统运行
- 并行编程（ PP）模式快速
生产编程
•低引脚数（ LPC ）接口模式
- LPC总线接口，支持字节读取和
写
- 33 MHz的时钟频率运行
- WP ＃和TBL ＃引脚提供了硬件写
为保护整个芯片和/或顶部引导块
- 块锁定寄存器用于单个模块
写锁和锁掉电保护
- JEDEC标准SDP命令集
- 数据＃投票和切换位的写操作结束的
发现
- 5 GPI引脚的系统设计灵活性
- 4 ID引脚多芯片选择
•并行编程（ PP ）模式
- 11引脚复用的地址和8引脚数据
I / O接口
- 支持快速的在系统或PROM编程
制造
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST49LF004B快闪存储器装置被设计成
与主机控制器（芯片组）支持一个低界面
引脚数（ LPC ）的BIOS应用程序接口。该
SST49LF004B器件符合Intel的LPC接口
规格，支持单字节固件存储器
周期类型。
该SST49LF004B设备向后兼容
该SST49LF004A固件枢纽。在本文档中， FWH
在SST49LF004A规范模式被参考为
固件存储器读/写周期。两种接口
模式由SST49LF004B支持： LPC模式
（固件存储器周期的类型），用于在系统操作
和并行编程（ PP）模式与亲接口
编程设备。
该SST49LF004B快闪存储器装置是制造
捕获的原始图像与SST专有的高性能超快闪
技术。分裂栅单元设计和厚氧化层调谐
neling注入器可实现更高的可靠性和可制造性
相比
同
另类
的方法。
该
SST49LF004B设备显著提高性能
©2006硅存储技术公司
S71307-02-000
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和可靠性，同时降低功耗。该
SST49LF004B设备写（编程或擦除）与
3.0-3.6V单一电源。
擦除和亲在SST49LF004B使用更少的能源
克比其他闪存技术。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围SuperFlash技术使用更少的电流亲
克，并且具有擦除时间更短，总的能源消
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。这意味着该系统软件
或硬件不必进行校准或相关的
擦除周期的累计次数为必要
与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
Intel是Intel Corporation的注册商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
