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SST49LF004B-33-4C-NH 参数 Datasheet PDF下载

SST49LF004B-33-4C-NH图片预览
型号: SST49LF004B-33-4C-NH
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内容描述: 4兆位LPC固件闪存 [4 Mbit LPC Firmware Flash]
分类和应用: 闪存内存集成电路PC
文件页数/大小: 39 页 / 452 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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4兆位LPC固件闪存
SST49LF004B
SST49LF004B4Mb LPC固件内存
数据表
产品特点:
• SST49LF004B : 512K ×8 ( 4兆)
•符合英特尔LPC接口规范1.1
- 支持单字节LPC存储器和
固件存储周期类型
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一64 K字节覆盖块
- 芯片擦除的PP模式下
•单3.0-3.6V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 读操作工作电流:6 mA(典型值)
- 待机电流: 10 μA (典型值)
•快速扇区擦除/字节编程操作
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
- 芯片重写时间:8秒(典型值)
•两种操作模式
- 低引脚数( LPC )接口模式
在系统运行
- 并行编程( PP)模式快速
生产编程
• LPC接口模式
- 5 - 信号LPC总线接口,支持读取的字节
和WRITE
- 33 MHz的时钟频率运行
- WP #和TBL #引脚提供了硬件写
为保护整个芯片和/或顶部引导块
- 块锁定寄存器用于单个模块
写锁和锁掉电保护
- JEDEC标准SDP命令集
- 数据#投票和切换位的写操作结束的
发现
- 5 GPI引脚的系统设计灵活性
- 4 ID引脚多芯片选择
•并行编程( PP )模式
- 11引脚复用的地址和8引脚数据
I / O接口
- 支持快速编程在系统上
程序员设备
• CMOS和PCI I / O兼容性
•封装
- 32引脚PLCC
- 40引脚TSOP ( 10毫米x10 20毫米)
产品说明
该SST49LF004B闪存器件被设计成
与主机控制器(芯片组)支持一个低界面
引脚数( LPC )的BIOS应用程序接口。该
SST49LF004B设备符合Intel的LPC接口
1.1规格,支持单字节固件存储器
和LPC存储周期类型。
该SST49LF004B是向后兼容的
SST49LF00xA固件枢纽和SST49LF0x0A LPC
闪光灯。在本文档中, FWH模式中SST49LF00xA
说明书中引用的固件存储器读/
写周期和LPC模式中SST49LF0x0A规范
灰被引用作为LPC存储器读/写循环。
两种接口模式由SST49LF004B支持:
LPC模式(固件存储器和LPC存储周期
类型),用于在系统操作和并行编程
( PP)模式界面编程设备。
该SST49LF004B闪存器件制造
与SST专有的高性能超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿
注入器可实现更高的可靠性和可制造性的COM
© 2003硅存储技术公司
S71232-02-000
12/03
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相比与其他方法。该SST49LF004B
设备显著提高了性能和可靠性,
同时降低功耗。该SST49LF004B
设备的写操作(编程或擦除)跟单3.0-3.6V
电源。
该SST49LF004B提供最大字节编程
20微秒的时间。整个存储器可擦除和
使用状态时,编程的逐字节在8秒
检测功能,如翻转位或数据#查询到
表示完成计划操作。为了保护
防止意外的写入,将SST49LF004B设备有
片上硬件和软件写保护方案。它
提供10万个周期一个典型的耐力。数据
保留的额定功率为100年以上。
在SST49LF004B擦除过程中使用更少的能源,
程序比其他闪存技术。该
消耗的总能量是所施加电压的函数,
电流和应用的时间。因为对于任何给定的电压
范围SuperFlash技术使用更少的电流亲
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
Intel是Intel Corporation的注册商标。
规格若有变更,恕不另行通知。