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SST49LF016C-33-4C-NHE 参数 Datasheet PDF下载

SST49LF016C-33-4C-NHE图片预览
型号: SST49LF016C-33-4C-NHE
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内容描述: 16兆位LPC串行闪存 [16 Mbit LPC Serial Flash]
分类和应用: 闪存内存集成电路PC时钟
文件页数/大小: 37 页 / 564 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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16兆位LPC串行闪存
SST49LF016C
016C16Mb LPC固件闪存
数据表
产品特点:
•操作时钟频率
= 33 MHz的
= 66 MHz的
•组织为2M ×8
•符合LPC接口规范V1.1
- 支持多字节固件存储器读/
写周期
•单3.0-3.6V读写操作
• LPC模式
- 5-信号LPC总线接口,用于既在系统
并利用编程器的工厂编程
设备
- 多字节读数据传输速率
15.6 MB /秒@ 33MHz的PCI时钟
31.2 MB /秒@ 66 MHz的时钟
- 固件存储器读周期支持
1 ,2,4 ,16,和128个字节读
- 固件存储器写周期支持
1,2,和4字节写
- 33兆赫/ 66 MHz的时钟频率运行
- WP # / AAI和TBL #引脚提供了硬件写
为保护整个芯片和/或顶部引导块
- 块锁定寄存器个别块读 -
锁,写锁和锁闭保护
- 5 GPI引脚的系统设计灵活性
- 4 ID引脚多芯片选择
- 多字节的寄存器功能
(只读寄存器)
- 状态寄存器的写操作结束检测
- 编程/擦除暂停
读取或写入过程中的其他模块
编程/擦除暂停
•双周期命令集
•安全ID功能
- 256位安全ID空间
- 64位唯一的工厂预编程
设备标识符
- 192位用户可编程OTP
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 读操作工作电流:12 mA(典型值)
- 待机电流: 10 μA (典型值)
- 统一4K字节扇区
- 35覆盖块: 1个16 KB的引导块,
两个8 - K字节的参数块,一个32字节
参数块, 31 64 KB的主
块。
•快速扇区擦除/编程操作
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 计划时间: 7 μs(典型值)
•自动地址递增( AAI)的快速厂
编程(高压启用)
- RY / BY #引脚用于写操作结束检测
- 多字节编程
- 芯片重写时间:4秒(典型值)
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST49LF016C闪存器件被设计成
与主机控制器(芯片组)支持一个低界面
引脚数( LPC )系统固件应用程序接口。
与LPC接口规范1.1符合,
SST49LF016C支持的一个突发-读数据传送
每秒15.6兆字节,在33 MHz的时钟速率和31.2
每秒兆字节,在66 MHz的时钟速度,高达128
在单个操作字节。
该LPC接口工作在5个信号引脚与28
一个8位并行的闪存引脚。这对释放出销
导致较低的ASIC的成本和一个ASIC的主机控制器
降低整体系统成本,由于简化了信号
路由选择。这5信号LPC接口支持同系
TEM和使用快速编程的工厂编程
设备。高电压引脚( WP # / AAI )能够自动
地址递增( AAI )模式。
通过软件寄存器, SST49LF016C提供硬
洁具块保护和crit-个别块保护
iCal的系统代码和数据。 256位的安全ID空间是
由64位工厂预编程的独特
号和一个192位的一次性可编程( OTP)的
区。这个安全ID允许使用新的安全技
niques和实施一个新的数据保护
方案。为了防止意外写操作时,
SST49LF016C器件具有片上硬件和软件
写保护方案。该SST49LF016C还亲
志愿组织的通用输入( GPI )系统设计灵活性
相容性。
采用SST专有的高性能制造
SuperFlash技术, SST49LF016C有分裂栅单元
设计和厚氧化层隧穿注入更大了可靠性
性和可制造性与替代性技比较
术方法。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
©2006硅存储技术公司
S71237-07-000
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