2兆位闪存LPC
SST49LF020
SST49LF0202兆LPC闪存
超前信息
产品特点：
•标准LPC接口
•符合英特尔LPC接口规范1.0
•组织为256K ×8
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一16K字节覆盖块
- 16千字节热门引导块保护
- 芯片擦除的PP模式
•单3.0-3.6V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 读操作工作电流10 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•快速扇区擦除/字节编程操作
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：4秒（典型值）
- 单脉冲编程或擦除
- 内部时序产生
•两种操作模式
- 低引脚数（ LPC ）接口模式
在系统运行
- 并行编程（ PP）模式快速生产
程序设计
• LPC接口模式
- 支承5-信号通信接口
字节读取和写入
- 33 MHz的时钟频率运行
- WP ＃和TBL ＃引脚提供硬件写保护
对于整个芯片和/或顶部引导块
- SDP标准命令集
- 数据＃查询和翻转位的
检测结束写入的
- 5 GPI引脚的系统设计灵活性
•并行编程（ PP ）模式
- 11引脚复用的地址和
8引脚的数据I / O接口
- 支持快速的在系统或PROM编程
制造
• CMOS I / O兼容性
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
产品说明
该SST49LF020闪存器件被设计成
与LPC总线的PC和互联网Applicance接口
应用程序。它提供保护的存储和
的另外的代码和数据更新到加入系统
经过五个通用输入（ GPI ）的设计灵活性。
该SST49LF020符合英特尔低引脚
数（LPC ）接口规范1.0 。两种接口
模式支持： LPC模式在系统编程
明和并行编程（ PP）模式快速厂
编程。
该SST49LF020闪存器件制造
与SST专有的高性能超快闪
技术。分裂栅单元设计和厚氧化
隧穿注入器可实现更高的可靠性和manufactura-
相容性与其他方法相比。该
SST49LF020设备显著提高性能
和可靠性，同时降低功耗。该
SST49LF020设备写入（编程或擦除）与
3.0-3.6V单一电源。它在使用更少的能源
擦除和程序比其他闪存技
nologies 。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压，电流和应用的时间。由于对
任何给定的电压范围， SuperFlash技术
©2001硅存储技术公司
S71175-02-000 5/01
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编程电流更低，且具有更短的擦除时间内，
在任何擦除或编程消耗的总能量
操作低于其他闪存技
吉斯。该SST49LF020产品提供了最高
20μsec的字节编程时间。整个内存可以
擦除和在4仲编程逐字节通常
哔声，使用状态时，检测等功能瓶酒
GLE位或数据＃投票指示完成
程序操作。 SuperFlash技术支持
固定的擦除和编程时间，独立于num-的
擦除/编程周期的误码率已经完成。 There-
前的系统软件或硬件不必
进行校准或相关的累计数
擦除/编程周期为这一点不同于其他
闪存技术，其擦除和编程
时间的增加与积累的擦除/编程周期。
为了防止意外写操作时， SST49LF020
器件具有片上硬件和软件数据（ SDP ）
保护方案。它提供了一个典型的耐力
10万次。数据保留的额定功率为大于
100年。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology的商标。英特尔是英特尔公司的注册商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
