4兆位闪存LPC
SST49LF040
SST49LF0404兆LPC闪存
超前信息
产品特点：
• LPC接口闪存
- SST49LF040 ： 512K ×8 （ 4兆）
•符合英特尔LPC接口规范1.0
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一64 K字节覆盖块
- 64 K字节顶部引导块保护
- 芯片擦除的PP模式下
•单3.0-3.6V读写操作
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 读操作工作电流：6 mA（典型值）
- 待机电流： 10 μA （典型值）
•快速扇区擦除/字节编程操作
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：8秒（典型值）
- 单脉冲编程或擦除
- 内部时序产生
•两种操作模式
- 低引脚数（ LPC ）接口模式
在系统运行
- 并行编程（ PP）模式快速生产
程序设计
• LPC接口模式
- 支承5-信号通信接口
字节读取和写入
- 33 MHz的时钟频率运行
- WP ＃和TBL ＃引脚提供硬件写保护
对于整个芯片和/或顶部引导块
- SDP标准命令集
- 数据＃投票和切换位的写操作结束的
发现
- 5 GPI引脚的系统设计灵活性
- ID引脚多芯片选择
- 解码的底部和顶部区域
系统内存映射
•并行编程（ PP ）模式
- 11引脚复用的地址和8引脚数据
I / O接口
- 支持对亲快速编程系统内
语法设备
• CMOS和PCI I / O兼容性
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
产品说明
该SST49LF040快闪存储器装置被设计成
与LPC总线的PC和互联网设备的接口
符合英特尔低引脚数的应用（ LPC ）
接口规范1.0 。两种接口模式是支持
为在系统LPC模式：移植的SST49LF040
操作和并行编程（ PP）模式接口
与编程设备。
该SST49LF040快闪存储器装置的制造
与SST专有的高性能超快闪技
术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道
喷油器实现更高的可靠性和可制造性的COM
相比与其他方法。该SST49LF040设备
显著提高了性能和可靠性，同时低
化工e圈的功耗。该SST49LF040设备写入
（编程或擦除）与单个3.0-3.6V电源。它
使用更少的能源擦除和编程过程中比alterna-
略去闪存技术。在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和时间
的应用。因为对于任何给予的电压范围内，则超
Flash技术使用更少的电流进行编程，并具有
©2001硅存储技术公司
S71213-00-000 11/01
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擦除时间更短，在任的总能量消耗
擦除或编程操作是低于其他闪存
内存技术。该SST49LF040产品提供
20微秒的最大字节编程时间。整个
存储器可以被擦除，并逐字节的典编
ically在8秒时，使用状态检测功能
如翻转位或数据＃投票指示完井
程序化操作。 SuperFlash技术亲
志愿组织固定的擦除和编程时间，独立的
已进行擦除/编程周期数。
因此，系统软件或硬件不
待校准或相关的累计数
擦除周期为这一点不同于其他闪存
技术，其擦除和编程时间的增加
与累积的擦除/编程周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST49LF040器件采用32引脚TSOP和32
引脚PLCC封装。请参阅图2和图3为针赋值
ments和表1引脚说明。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
Intel是Intel Corporation的注册商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
