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SST58LD128-70-C-P1H 参数 Datasheet PDF下载

SST58LD128-70-C-P1H图片预览
型号: SST58LD128-70-C-P1H
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内容描述: ATA磁盘芯片 [ATA-Disk Chip]
分类和应用:
文件页数/大小: 40 页 / 356 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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ATA磁盘芯片
SST58SD008 / 016 / 024 / 032 / 048 / 064 / 096 /一百九十二分之一百二十八
SST58LD008 / 016 / 024 / 032 / 048 / 064 / 096 /一百九十二分之一百二十八
数据表
2.2绝对最大极限
绝对最大极限
(适用条件高于绝对最大的“上市
压力“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 )
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50 ° C至+ 100°C
直流电压的任何引脚到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到
V
DD
+0.5V
任何引脚瞬态电压( <20 NS)到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V到
V
DD
+1.0V
包装功率耗散能力( TA = 25 ° C) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
通孔焊接温度( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
表面贴装引线焊接温度( 3秒)
240°C
输出短路电流
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
1.输出短路因为没有一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
ANGE
: SST58SD
XXX
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
4.5-5.5V
O
操作摄像机
R
ANGE
: SST58LD
XXX
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
3.135-3.465V
AC - C
ONDITIONS
OF
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ç
L
= 100 pF的
参见图2-3和2-4中
注意:
所有AC规格由设计保证。
符号
T
PU-READY1
T
PU-WRITE1
2-3: R
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
参数
电到准备工作
上电到写操作
最大
500
500
单位
ms
ms
T2-3.0 391
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
参数
C
I/O1
C
IN
1
2-4: C
APACITANCE
描述
( TA = 25 ° C,F = 1 MHz,其他引脚开路)
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
15 pF的
9 pF的
T2-4.0 391
I / O引脚的电容
输入电容
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
符号
I
LTH
1
2-5: R
ELIABILITY
C
极特
参数
闭锁
最小规格
100 + I
DD
单位
mA
测试方法
JEDEC标准78
T2-5.1 391
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
©2001硅存储技术公司
S71167-05-000 9/01
391
9